[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

在半导体基板的一个表面上形成第一隧穿层；

在所述第一隧穿层上形成第一导电区域，以使得该第一导电区域包括具有非晶结构的金属氧化物层；以及

形成电连接至所述第一导电区域的第一电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电区域的与所述第一隧穿层相邻的至少界面部分由非晶区域形成，在该非晶区域中，具有所述非晶结构的非晶部分比具有结晶结构的结晶部分宽。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电区域的所述金属氧化物层包括二元金属氧化物，或者

其中，在形成所述第一导电区域的步骤中，通过原子层沉积ALD或物理气相沉积PVD来形成所述第一导电区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在形成所述第一导电区域的步骤中，通过工艺温度为250℃或以下的原子层沉积ALD来形成所述第一导电区域。

5.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

形成第二导电区域以用于提取极性与所述第一导电区域所提取的载流子相反的载流子，其中，所述第二导电区域包括具有所述非晶结构的所述金属氧化物层，

其中，形成所述第一导电区域的第一工艺温度与形成所述第二导电区域的第二工艺温度彼此不同，并且

其中，当所述第一工艺温度高于所述第二工艺温度时，在形成所述第一导电区域之后形成所述第二导电区域，而当所述第二工艺温度高于所述第一工艺温度时，在形成所述第二导电区域之后形成所述第一导电区域。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一电极的步骤在400℃或以下的温度下执行。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第一导电区域的步骤中，所述第一导电区域被形成为包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分和所述第二部分各自包括所述金属氧化物层，而所述第一部分和所述第二部分具有彼此不同的组成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述第一导电区域的步骤包括以下步骤：

第一工艺，其用于形成与所述第一隧穿层相邻的所述第一部分；以及

第二工艺，其用于形成与所述第一电极相邻的所述第二部分，

其中，所述第一工艺的工艺条件不同于所述第二工艺的工艺条件，并且作为所述第一部分中的氧与金属之比的第一氧比不同于作为所述第二部分中的氧与金属之比的第二氧比。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二氧比小于所述第一氧比，

其中，在形成所述第一导电区域的步骤中，通过原子层沉积ALD来形成所述第一导电区域，并且形成所述第一导电区域的步骤包括以下步骤：

供应包含氧的第一原料；

清除所述第一原料；

供应包含金属的第二原料；以及

清除所述第二原料，并且

其中，与所述第一工艺中相比，在所述第二工艺中，所述第一原料的供应时间、供应量、浓度和总供应工艺数量中的至少一个较小，或者

其中，与所述第一工艺中相比，在所述第二工艺中，所述第一原料的清除时间和总清除次数中的至少一个较大，或者

其中，与所述第一工艺中相比，在所述第二工艺中，所述第二原料的供应时间、供应量、浓度和总供应工艺数量中的至少一个较大，或者

其中，与所述第一工艺中相比，在所述第二工艺中，所述第二原料的清除时间和总清除次数中的至少一个较小。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一隧穿层包括氧化硅层，并且

其中，形成所述第一隧穿层的步骤和形成所述第一导电区域的步骤是通过在同一设备中连续地执行的原位工艺来执行的。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述第一隧穿层的步骤中，通过在400℃或以下的温度下向所述半导体基板供应臭氧的工艺来形成所述氧化硅层。