[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201710896457.9 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107656407B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 卢俊宏;李哲;栗鹏;顾可可;李晓吉;范昊翔;刘文亮;朱维;秦鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的第一电极层、绝缘层和第二电极层;
其中,所述第一电极层包括第一公共电极和第一像素电极,所述第二电极层包括第二公共电极和第二像素电极,所述第一公共电极和所述第一像素电极一一间隔排布,所述第二公共电极和所述第二像素电极一一间隔排布,所述绝缘层包括多个凸起结构,所述多个凸起结构中的每个凸起结构的侧面与所述衬底基板的板面之间存在倾角,所述第二公共电极和所述第二像素电极覆盖在所述绝缘层的不同的凸起结构上,且所述第二公共电极覆盖所述凸起结构远离所述衬底基板的一面和所述凸起结构的侧面,所述第二像素电极覆盖所述凸起结构远离所述衬底基板的一面和所述凸起结构的侧面,所述第二公共电极与所述第一像素电极绝缘,所述第二像素电极与所述第一公共电极绝缘,所述第二公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一像素电极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域,所述第二像素电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一公共电极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层的每个凸起结构的纵截面为梯形或三角形,所述每个凸起结构的纵截面与所述衬底基板的板面垂直。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层的每个凸起结构为圆台形结构、梯台形结构、圆锥形结构或棱锥形结构。
4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层为栅绝缘层或钝化层。
5.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板,其特征在于,
所述第二公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一像素电极在所述衬底基板上的正投影重合,所述第二像素电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一公共电极在所述衬底基板上的正投影重合。
6.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成第一电极层,所述第一电极层包括第一公共电极和第一像素电极,所述第一公共电极和所述第一像素电极一一间隔排布;
在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成绝缘层,所述绝缘层包括多个凸起结构,所述多个凸起结构中的每个凸起结构的侧面与所述衬底基板的板面之间存在倾角;
在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成第二电极层,所述第二电极层包括第二公共电极和第二像素电极,所述第二公共电极和所述第二像素电极一一间隔排布,所述第二公共电极和所述第二像素电极覆盖在所述绝缘层的不同的凸起结构上,且所述第二公共电极覆盖所述凸起结构远离所述衬底基板的一面和所述凸起结构的侧面,所述第二像素电极覆盖所述凸起结构远离所述衬底基板的一面和所述凸起结构的侧面,所述第二公共电极与所述第一像素电极绝缘,所述第二像素电极与所述第一公共电极绝缘,所述第二公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一像素电极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域,所述第二像素电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一公共电极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述绝缘层的每个凸起结构的纵截面为梯形或三角形,所述每个凸起结构的纵截面与所述衬底基板的板面垂直。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述绝缘层的每个凸起结构为圆台形结构、梯台形结构、圆锥形结构或棱锥形结构。
9.根据权利要求6至8任一所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成绝缘层,所述绝缘层包括多个凸起结构,包括:
在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成栅绝缘层,所述绝缘层包括所述多个凸起结构;或者,
在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成钝化层,所述钝化层包括所述多个凸起结构。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至5任一所述的阵列基板。
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