[发明专利]透明导电膜及其制备方法和光传输控制装置及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：透明基底和铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜；

所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜沉积在所述透明基底上。

2.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基底为玻璃或者聚合物。

3.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的厚度是50纳米至250纳米。

4.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的透光率是75％-95％。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的方阻是10欧姆至100欧姆。

6.一种光传输控制装置，其特征在于，所述装置包括：第一透明导电膜、第二透明导电膜以及填充在所述第一透明导电膜和所述第二透明导电膜之间的聚合物基质层；

所述第一透明导电膜和/或所述第二透明导电膜是如权利要求1-5任一项所述的透明导电膜，所述聚合物基质层填充在所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述聚合物基质层包括聚合物基体材料和多个悬浮颗粒，每个所述悬浮颗粒包括悬浮介质和多个光偏振粒子；

所述悬浮颗粒的悬浮介质材料不同于聚合物基体材料，且所述悬浮颗粒在聚合物基体材料中以液态或凝胶形式悬浮。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，

所述聚合物基体材料是交联聚硅氧烷或丙烯酸酯；若所述聚合物基体材料是丙烯酸酯，所述悬浮颗粒的悬浮介质材料是硅油或者三苯三酸异十三醇酯；

所述悬浮颗粒的光偏振粒子是多卤化物，或二氧化钛，或碘硫酸奎宁。

9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，每个所述光偏振粒子的长度是100纳米至500纳米，直径是20纳米至100纳米。

10.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述聚合物基质层的厚度为20微米至250微米。

11.一种透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

制备所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜；

将所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜转移至透明基底上，将所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜还原成铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜，所述透明基底和所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜组成透明导电膜。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述制备所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜包括：

搅拌氧化石墨烯和铜纳米线的异丙醇悬浮液的混合物，获得铜-氧化石墨烯-核壳纳米线的分散液；

真空过滤所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线的分散液，获得所述铜/氧化石墨烯核壳纳米膜。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述将所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜转移至透明基底上还包括：

对所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜施加预设压力值，并持续第一预设时间。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述将所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜还原成铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜包括：

将所述透明基底以及所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜置于还原气氛中，在预设温度下进行热退火；

或者，

将所述透明基底以及所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜暴露在还原性环境中；经过第二预设时间后，将所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜置于还原气氛中，在预设温度下进行热退火。

15.一种光传输控制装置的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

采用如权利要求11-14任一项所述的方法制备第一透明导电膜和第二透明导电膜；

在制备的所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间填充聚合物基质，形成聚合物基质层；

所述第一透明导电膜、所述第二透明导电膜和所述聚合物基质组成所述光传输控制装置。