[发明专利]无水基板清洁组合物、基板处理方法和基板处理装置在审
申请号: | 201710899501.1 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107881032A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 姜基文;A·科里阿金;郑仁一;崔海园 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | C11D7/08 | 分类号: | C11D7/08;C11D7/10;C11D7/26;C11D11/00;H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所11410 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无水 清洁 组合 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板清洁组合物,包括:
蚀刻化合物,所述蚀刻化合物提供用于处理基板的组分;和
溶剂,所述溶剂溶解所述蚀刻化合物,
其中所述基板清洁组合物是不包含水的无水组合物。
2.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中所述蚀刻化合物包括氟。
3.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中所述蚀刻化合物是氟化铵。
4.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中所述蚀刻化合物是氟化氢。
5.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中所述溶剂是乙酸酐。
6.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中所述溶剂是乙酸。
7.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中所述溶剂是碳酸丙烯酯。
8.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,还包括:
相变助剂材料,所述相变助剂材料提高超临界流体的溶解度。
9.根据权利要求8所述的基板清洁组合物,其中所述相变助剂材料是醇。
10.根据权利要求8所述的基板清洁组合物,其中所述相变助剂材料是异丙醇。
11.根据权利要求8所述的基板清洁组合物,其中所述相变助剂材料为甲醇。
12.根据权利要求8所述的基板清洁组合物,其中所述相变助剂材料是乙醇。
13.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,还包括:
粘合剂,所述粘合剂防止从所述基板分离的颗粒再次附着到所述基板上。
14.根据权利要求13所述的基板清洁组合物,其中粘合剂是异丙氧基乙醇。
15.一种基板清洁组合物,包括
蚀刻化合物,所述蚀刻化合物提供用于处理基板的组分;
溶剂,所述溶剂溶解所述蚀刻化合物;和
相变助剂材料,所述相变助剂材料提高超临界流体的溶解度。
16.根据权利要求15所述的基板清洁组合物,还包括:
粘合剂,所述粘合剂防止从所述基板分离的颗粒再次附着到所述基板上。
17.根据权利要求15所述的基板清洁组合物,其中所述蚀刻化合物是氟化铵,
并且其中所述溶剂是乙酸酐。
18.根据权利要求17所述的基板清洁组合物,其中所述相变助剂材料是异丙醇。
19.根据权利要求18所述的基板清洁组合物,其中所述粘合剂是异丙氧基乙醇。
20.一种基板处理方法,包括:
将基板清洁组合物施加到停止运动的基板上;和
通过向所述基板供应超临界流体来清洁所述基板,
其中所述基板清洁组合物包括:
蚀刻化合物,所述蚀刻化合物提供用于处理基板的组分;和
溶剂,所述溶剂溶解所述蚀刻化合物,
并且其中所述基板清洁组合物是不包含水的无水组合物。
21.一种基板处理方法,包括:
通过向正在旋转的基板供应基板清洁组合物来清洁基板;和
通过向所述基板供应超临界流体来干燥所述基板,
其中所述基板清洁组合物包括:
蚀刻化合物,所述蚀刻化合物提供用于处理基板的组分;和
溶剂,所述溶剂溶解所述蚀刻化合物,
并且其中所述基板清洁组合物是不包含水的无水组合物。
22.一种基板处理方法,包括:
通过将基板清洁组合物与超临界流体混合并将所述混合物供应到基板来处理所述基板,
其中所述基板清洁组合物包括:
蚀刻化合物,所述蚀刻化合物提供用于处理基板的组分;和
溶剂,所述溶剂溶解所述蚀刻化合物,
并且其中所述基板清洁组合物是不包含水的无水组合物。
23.根据权利要求20至22中任一项所述的基板处理方法,其中所述蚀刻化合物是氟化铵。
24.根据权利要求23所述的基板处理方法,其中所述溶剂是无水乙酸。
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