[发明专利]OLED显示器的制作方法及OLED显示器有效
申请号: | 201710899825.5 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107706221B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 唐甲;张晓星 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示器 制作方法 | ||
1.一种OLED显示器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1、提供TFT基板(100);
所述TFT基板(100)包括衬底基板(110)、及设于衬底基板(110)上的阳极层(120);
步骤S2、在所述TFT基板(100)上形成防反射层(200),所述防反射层(200)形成于阳极层(120)上;对所述防反射层(200)进行图案化,形成多个暴露阳极层(120)的第一开口(210);
步骤S3、在所述TFT基板(100)及防反射层(200)上形成一层负性光阻材料层(800),对所述负性光阻材料层(800)进行曝光及显影制程,形成像素定义层(300);
所述像素定义层(300)上设有贯穿像素定义层(300)且对应位于多个第一开口(210)上的多个第二开口(310),多个第二开口(310)及其下方的第一开口(210)在TFT基板(100)上限定出多个像素区域(101);
步骤S4、在所述TFT基板(100)的多个像素区域(101)内形成OLED发光层(400);
所述阳极层(120)为两层氧化铟锡夹一层银的结构。
2.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述防反射层(200)的材料为有机光阻;
所述步骤S2中对防反射层(200)进行图案化具体为:对防反射层(200)进行曝光及显影制程,在防反射层(200)上形成多个第一开口(210)。
3.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述防反射层(200)的材料为无机遮光材料;
所述步骤S2中对防反射层(200)进行图案化具体为:在防反射层(200)上涂布光阻层,对光阻层进行曝光及显影,以显影后的光阻层为遮挡对防反射层(200)进行蚀刻,在防反射层(200)上形成多个第一开口(210)。
4.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述防反射层(200)的材料为吸光材料。
5.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述步骤S4中通过打印或蒸镀的方式在所述TFT基板(100)的多个像素区域(101)内形成OLED发光层(400)。
6.如权利要求5所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述步骤S4中通过打印的方式在所述TFT基板(100)的多个像素区域(101)内形成OLED发光层(400);
所述负性光阻材料层(800)的材料为疏水性材料。
7.一种OLED显示器,其特征在于,包括:
TFT基板(100);所述TFT基板(100)包括衬底基板(110)、及设于衬底基板(110)上的阳极层(120);
设于所述TFT基板(100)上的防反射层(200),所述防反射层(200)上设有多个暴露阳极层(120)的第一开口(210);所述防反射层(200)形成于阳极层(120)上;
设于所述防反射层(200)上的像素定义层(300);所述像素定义层(300)上设有贯穿像素定义层(300)且对应位于多个第一开口(210)上的多个第二开口(310),多个第二开口(310)及其下方的第一开口(210)在TFT基板(100)上限定出多个像素区域(101);
以及设于所述TFT基板(100)的多个像素区域(101)内的OLED发光层(400);
所述像素定义层(300)采用负性光阻材料制作;
所述阳极层(120)为两层氧化铟锡夹一层银的结构。
8.如权利要求7所述的OLED显示器,其特征在于,所述防反射层(200)的材料为遮光材料或吸光材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的