[发明专利]一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法

权利要求书

1.一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.在硅基片(1)上制作硅孔(8)；

b.在硅基片(1)表面及硅孔(8)内壁沉积绝缘层(2)；

c.在绝缘层(2)上沉积阻挡层(3)；

d.在阻挡层(3)表面上形成多层石墨烯辅助层(4)；

e.在硅基片(1)表面上的多层石墨烯辅助层(4)上贴干膜，然后曝光、显影形成干膜层(5)；

f.在硅孔(8)底面和干膜层(5)表面上沉积种子层(6)；

g.在硅孔(8)内填充导电材料(7)。

2.根据权利要求1所述的一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法，其特征在于，所述步骤a中硅孔(8)的制作采用深反应离子刻蚀、激光刻蚀或湿法腐蚀法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法，其特征在于，所述步骤b中沉积的绝缘层(2)采用热氧化、化学气相沉积或者物理气相沉积方法制作，材料为二氧化硅、氧化铝、聚酰亚胺、聚对二甲苯或光刻胶。

4.根据权利要求1所述的一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法，其特征在于，所述步骤c中沉积的阻挡层(3)采用物理气相淀积、原子层淀积或化学气相淀积方法制作，材料为钛、氮化钛、钽、氮化钽。

5.根据权利要求1所述的一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法，其特征在于，所述步骤d中多层石墨烯采用氧化还原法制备，并采用湿法工艺在阻挡层(3)形成多层石墨烯辅助层(4)。

6.根据权利要求1所述的一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法，其特征在于，所述步骤f中种子层(6)采用物理气相淀积、原子层淀积或者化学气相淀积方法制作，材料可以是金或者铜。

7.根据权利要求1所述的一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法，其特征在于，所述步骤f中干膜层(5)的孔直径小于硅孔(8)直径。

8.根据权利要求1所述的一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法，其特征在于，所述步骤g中以种子层(6)为引导对硅孔(8)内进行电镀填充导电材料(7)。