[发明专利]加热装置有效
申请号: | 201710901246.X | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107889289B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 仓野淳 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | H05B3/10 | 分类号: | H05B3/10;H05B3/03;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 | ||
本发明提供能够提高加热装置中的保持面的面内匀热性的加热装置。加热装置具有:保持体,其呈具有与第1方向大致正交的第1表面和第2表面的板状且在内部具有与彼此不同的一对电极端子相连接的多个电阻发热体;柱状支承体,其呈在第1方向上延伸的柱状且与保持体的第2表面接合在一起,该加热装置用于对保持在保持体的第1表面上的对象物进行加热。该多个电阻发热体包含:第1电阻发热体,其跨越包含从第1方向观察时与柱状支承体重合的区域的第1区域和从第1方向观察时位于第1区域的外周侧且包含不与柱状支承体重合的区域的第2区域地配置;第2电阻发热体,其在第1方向上配置在比第1电阻发热体靠近所述第1表面的位置,且仅配置在第1区域。
技术领域
本发明公开的技术涉及一种加热装置。
背景技术
公知一种一边保持对象物(例如,半导体晶圆)一边将对象物加热到规定的处理温度(例如,400℃~650℃左右)的加热装置(也被称为“基座”)。加热装置例如作为成膜装置(CVD成膜装置、溅射成膜装置等)、蚀刻装置 (等离子体蚀刻装置等)这样的半导体制造装置的一部分来使用。
通常,加热装置具有:板状的保持体,其具有与规定的方向(以下称为“第1方向”)大致正交的保持面和背面;以及柱状支承体,其呈在第1方向上延伸的柱状,且与保持体的背面接合在一起。在保持体的内部配置有电阻发热体。当对电阻发热体施加电压时,电阻发热体发热,并且将保持于保持体的保持面上的对象物(例如,半导体晶圆)例如加热到400℃~650℃左右 (例如,参照专利文献1)。
专利文献1:(日本)特开平10-242252号公报
发明内容
近年来,为了实现半导体制造工艺中的图案细微化、提高成品率等,提高对于提高加热装置的保持面内的温度的均匀性(面内均热性)的要求。但是,由保持体的内部的电阻发热体产生的热经由柱状支承体而散失(以下,将该现象称为“热散失”),因此,在保持体的从保持面内的第1方向上观察时与柱状支承体重合的部分处的温度容易变低,其结果,保持面的面内均热性有可能下降。
在本发明中,公开可解决上述课题的技术。
本发明公开的技术例如可作为以下形式来实现。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本特殊陶业株式会社,未经日本特殊陶业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710901246.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:加热装置
- 下一篇:锁相回路以及在锁相回路中产生锯齿波信号的方法