[发明专利]一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法

权利要求书

1.一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法，其特征在于，其包括有如下步骤：

1)针对图1中所示，采用电化学腐蚀技术制作1所示InP基SLD电流非注入吸收区；

2)在InP基传统SLD外延片基础上，整个实验在一个装有电解液的电解池中进行。

2.如权利要求1所述的采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区结构及制作方法，其特征在于，在所述步骤1)，在制备1所示的吸收区域，装置是一个三电极系统，样品为工作电极，铂片作为对电极；在电压条件下，电场将限制空穴沿着特定方向移动且仅能达到底部。

3.如权利要求1所述的采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区结构及制作方法，其中，InP与HCl：C₂H₆O₂：H₂O＝1.0：0.5：10在30-48℃，例如为30℃、33℃、47℃、42℃、45℃、48℃加热反应，并控制InP不完全反应；

InP与NaCl：C₂H₆O₂：H₂O＝1.0：1.0：10在50-69℃，例如为50℃、53℃、56℃、59℃、63℃、69℃加热反应，并控制InP不完全反应；

InP与NaBr：C₂H₆O₂：H₂O＝2.0：1.0：10在40-65℃，例如为40℃、45℃、50℃、55℃、60℃、65℃加热反应，并控制InP不完全反应。

其中200ml HCl：C₂H₆O₂：H₂O＝1.0：0.5：10，电解池电压为7-11V；

其中200ml NaCl：C₂H₆O₂：H₂O＝1.0：1.0：10，电解池电压为6-10V；

其中200ml NaBr：C₂H₆O₂：H₂O＝2.0：1.0：10，电解池电压为5-9V；

去除杂质并分离未反应的InP后，得到InP基SLD多孔吸收区。