[发明专利]民族香料植物麻根的快速繁殖方法有效

专利信息
申请号: 201710903541.9 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN107410033B 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 罗吉凤;杨珺;王跃虎;龙春林 申请(专利权)人: 中国科学院昆明植物研究所
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 昆明协立知识产权代理事务所(普通合伙) 53108 代理人: 旃习涵
地址: 650201 *** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 快速繁殖 麻根 香料植物 优化培养基 保护应用 技术保障 生根培养 无性系 丛芽 无菌 种苗 香料 喜好 引种 基数 繁殖 物种 回归
【权利要求书】:

1.民族香料植物麻根的快速繁殖方法,其特征在于该方法包括选取快速繁殖材料、优化培养基和建立无菌无性系培养、促进丛芽形成、生根培养、试管苗移栽步骤,取发芽后生长三个月的麻根带节芽条,用75%乙醇消毒10s,无菌水冲洗2次,用0.1%HgCl2水溶液消毒6min,用无菌水冲洗5-6次,每次1min,之后用消毒后的无菌虑纸吸干水分,剪去伤口部分0.2cm,剪成带节0.5cm小段,接入准备好的诱导茎段长出腋芽的培养基①1/4MS+BA0.02mg/L+NAA0.05mg/L;培养35天后转入诱导茎段长出丛芽的培养基②1/4MS+BA0.2mg/L+IAA0.1mg/L和③1/4MS+BA0.5mg/L;培养60天后转入诱导生根的培养基为④1/4MS+IAA1mg/L+PP333 0.1mg/L。

2.根据权利要求1所述的民族香料植物麻根的快速繁殖方法,其特征在于所述的选取快速繁殖材料步骤是用采自云南南部西双版纳地区海拔1400m-1600m的石灰岩石壁上的麻根,带回室内栽种到装有麻根生长环境的原生土:红壤土:腐殖土1:1:1的盆子里,十个月后发出新芽,新芽生长3个月后用作快速繁殖的外植体。

3.根据权利要求1所述的民族香料植物麻根的快速繁殖方法,其特征在于所述的优化培养基和建立无菌无性系培养步骤是采用培养条件为:基本培养基为1/4MS,诱导茎段长出腋芽的培养基为①1/4MS+BA0.02mg/L+NAA0.05mg/L;诱导幼茎段丛芽增殖的培养基为②1/4MS+BA0.2mg/L+IAA0.1mg/L和③1/4MS+BA0.5mg/L;诱导生根的培养基为④1/4MS+IAA1mg/L+PP333 0.1mg/L;培养基①②③糖浓度为3%,培养基④糖浓度为2%;培养条件均为:所有培养基PH 5.8,培养温度26±2℃,光照时间12h.d-1,光照强度20-40μmol.m-2.S-1

4.根据权利要求1所述的民族香料植物麻根的快速繁殖方法,其特征在于所述的促进丛芽形成步骤是麻根幼茎经75%酒精溶液浸泡10s,无菌水冲洗2次,用0.1%升汞溶液处理6min后,无菌水冲洗4次,用灭菌手术剪去掉叶片,修剪成长约0.5cm带1节的切段,放在培养基①上培养,经35d培养后,每个茎段节长出腋芽1-2个,诱导率为98%,每块材料的芽的平均数为1.2个,取下茎段上所发出的芽在培养基②上培养60d,继代周期为60d,建成麻根快速繁殖无性系,增殖速率达1:4,再在培养基②上经过60d的培养,增殖速度达1:4,达到麻根工厂化生产的要求。

5.根据权利要求1所述的民族香料植物麻根的快速繁殖方法,其特征在于所述的生根培养步骤是在培养基③上培养,3-5丛/瓶芽接种35d后,每瓶得到高度达3-4cm以上芽条4-6个,同时也有增殖,月增殖速度为1:4,选取芽条高度在3cm以上的,切取下来放在培养基④1/4MS+IAA1mg/L+PP333 0.1mg/L上培养,10d-25d开始生根,随着培养时间延长生根率达99%,每株2-5条根,根长0.8-1.2cm,植株生长健壮。

6.根据权利要求1所述的民族香料植物麻根的快速繁殖方法,其特征在于所述的试管苗移栽步骤是芽条接入生根培养基30天后,根长1.4cm以上时移栽到栽培基质上,所述栽培基质为:栽培土:腐殖土∶红壤土∶珍珠岩3:1:0.5,加0.1%百菌清搅拌均匀堆上三天装盆备用,生根瓶苗先放在常温下,松开瓶盖1天,第二天完全打开瓶盖,露两天后,第四天把附在根上的培养基轻轻洗干净,晾干30min后,栽入准备好的盆子里,浇透水,之后放入外罩70%遮阴网、平均温度21℃±2℃的温室中,20天后统计成活率为99%。

7.根据权利要求1所述的民族香料植物麻根的快速繁殖方法,其特征在于该方法进一步进行离体保存,所述的离体保存步骤是以试管生根苗的培养物类型进行离体保存,采取缓慢生长保存的中短期离体保存的方式,用生长抑制剂CCC1mg/L、5mg/L、10mg/L;PP3330.5mg/L、1mg/L、5mg/L和ABA0.5mg/L处理;或者采用降低培养温度的方法暗培养4℃进行离体保存,延长继代周期至1年半。

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