[发明专利]接触孔的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710903979.7 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107808822A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 施洋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 刻蚀 方法 | ||
1.一种接触孔的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在半导体衬底上形成层间膜；
步骤二、采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出接触孔的形成区域，进行所述层间膜的刻蚀形成所述接触孔；
步骤三、去除所述光刻胶图形；
步骤四、进行去除聚合物残留的后处理，所述后处理采用含O2和CF4的干法刻蚀工艺进行处理。
2.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：步骤一所述半导体衬底为硅衬底。
3.如权利要求1或2所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：在所述半导体衬底表面上形成有集成电路。
4.如权利要求3所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：所述接触孔和底部的所述集成电路的器件的需要引出电极的N+区、P+区或多晶硅栅接触。
5.如权利要求4所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：所述集成电路的器件的需要引出电极的N+区、P+区包括源区或漏区。
6.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：步骤四的所述后处理包括如下分步骤：
第一步、采用如下工艺参数进行处理：时间为25秒，温度为230℃～270℃，氧气流量为500sccm；
第二步、采用如下工艺参数进行处理：时间20秒，温度为230℃～270℃，氧气流量为496sccm，CF4流量为4sccm。
7.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：步骤四的所述后处理中在所述干法刻蚀工艺之后还包括进行湿法清洗的步骤。
8.如权利要求7所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：步骤四的湿法清洗采用去离子水进行清洗。
9.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：步骤三中在去胶机台中去除所述光刻胶图形。
10.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：步骤四也在所述去胶机台中进行。
11.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：步骤二中所述层间膜的刻蚀采用等离子体刻蚀。
12.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：所述层间膜的组成材料包括PSG、BPSG或USG。
13.如权利要求1或9所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于：步骤三中的去除所述光刻胶图形的工艺包括干法去胶工艺和湿法去胶工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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