[发明专利]LDMOS器件有效
| 申请号： | 201710904201.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107819026B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 颜树范 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 | ||
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：
N型掺杂的漂移区；
P型掺杂的体区，所述体区的结深小于所述漂移区的结深，所述体区和所述漂移区横向交叠；
由栅介质层和多晶硅栅叠加形成的栅极结构，所述多晶硅栅覆盖所述体区的表面且所述多晶硅栅的第二侧面延伸到所述漂移区的表面；被所述多晶硅栅所覆盖的所述体区表面用于形成沟道，被所述多晶硅栅所覆盖的所述漂移区为积累层区域；
源区形成于所述体区表面并和所述多晶硅栅的第一侧面自对准；
漏区形成于所述漂移区表面并和所述多晶硅栅的第二侧面相隔一段距离；
在所述漏区的远离所述栅极结构一端的外侧的所述漂移区中形成有由P+区组成的空穴注入区；所述空穴注入区的深度大于所述漏区的深度；在所述积累层区域中形成有由N型掺杂区组成的电荷存储区；所述空穴注入区在器件导通时提供空穴注入以减少导通电阻，所述电荷存储区用于对空穴漂移进行阻挡；
所述电荷存储区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度以及所述电荷存储区的掺杂浓度小于所述体区的掺杂浓度，使器件截止时所述漂移区的耗尽由所述体区和所述漂移区的掺杂浓度决定。
2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述空穴注入区的结深小于等于所述漂移区的结深。
3.如权利要求1或2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述电荷存储区的结深和所述空穴注入区的结深相当。
4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述漂移区由深N阱组成。
5.如权利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于：所述深N阱形成于半导体衬底表面。
6.如权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于：所述半导体衬底为P型掺杂。
7.如权利要求5或6所述的LDMOS器件，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。
8.如权利要求7所述的LDMOS器件，其特征在于：所述栅介质层为栅氧化层。
9.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述体区的表面还形成有由P+区组成的体引出接触区。
10.如权利要求9所述的LDMOS器件，其特征在于：所述源区和所述体引出接触区都通过接触孔连接到由正面金属层组成的源极。
11.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述空穴注入区和所述漏区横向接触。
12.如权利要求11所述的LDMOS器件，其特征在于：所述空穴注入区和所述漏区都通过接触孔连接到由正面金属层组成的漏极。
13.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述多晶硅栅的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的栅极。
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