[发明专利]一种超导接头及其制备方法在审
申请号: | 201710904334.5 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107863613A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 王栋樑;马衍伟;张现平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01R4/68 | 分类号: | H01R4/68 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超导 接头 及其 制备 方法 | ||
1.一种超导接头,其特征在于:所述超导接头包括被连接的超导体、硼粉、镁粉和金属包套;所述的被连接的超导体的末端埋入硼粉中,硼粉表面覆盖有镁粉,被连接的超导体、硼粉和镁粉均被金属包套所包裹;所述的超导接头由镁粉和硼粉反应生成的二硼化镁实现超导连接。
2.根据权利要求1所述的超导接头,其特征在于:所述被连接的超导体含有低温超导体或者高温超导体,所述的超导体包括超导块材、线材、带材或薄膜,所述的超导线材或带材的超导芯至少为单芯。
3.根据权利要求1所述的超导接头,其特征在于:所述的硼粉不含或含有至少一种掺杂物;所述的掺杂物含有La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、H、Li、B、C、N、O、F、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pb、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、I、Cs、Ba、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi中的一种或多种元素。
4.根据权利要求1所述的超导接头,其特征在于:所述的金属包套是金属箔、金属片或者金属管,种类为金属单质或合金;所述的金属包套为单层或者双层以上的复合包套。
5.根据权利要求1所述的超导接头,其特征在于:所述的超导接头用于超导体连接或者超导磁体绕组。
6.制备权利要求1-5的任一项所述超导接头的方法,其特征在于制备步骤如下:
(1)打磨被连接的超导体的末端,使其超导芯露出;
(2)将步骤(1)处理过的超导体末端埋入硼粉中,压实硼粉使其密度达到理论密度的25%-70%之间;
(3)在硼粉表面覆盖镁粉,再将被连接的超导体、硼粉和镁粉用金属包套包裹;
(4)焊接经步骤(3)处理过的金属包套;
(5)对经上述步骤(4)制备的金属包套进行热处理,得到超导接头。
7.根据权利要求6所述的制备超导接头的方法,其特征在于:硼与镁的原子比不高于2。
8.根据权利要求6所述的制备超导接头的方法,其特征在于:优选的热处理温度为600-950℃,保温时间1分钟-100小时。
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