[发明专利]一种超导接头及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710904334.5 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN107863613A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 王栋樑;马衍伟;张现平 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01R4/68 分类号: H01R4/68
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 超导 接头 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种超导接头,其特征在于:所述超导接头包括被连接的超导体、硼粉、镁粉和金属包套;所述的被连接的超导体的末端埋入硼粉中,硼粉表面覆盖有镁粉,被连接的超导体、硼粉和镁粉均被金属包套所包裹;所述的超导接头由镁粉和硼粉反应生成的二硼化镁实现超导连接。

2.根据权利要求1所述的超导接头,其特征在于:所述被连接的超导体含有低温超导体或者高温超导体,所述的超导体包括超导块材、线材、带材或薄膜,所述的超导线材或带材的超导芯至少为单芯。

3.根据权利要求1所述的超导接头,其特征在于:所述的硼粉不含或含有至少一种掺杂物;所述的掺杂物含有La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、H、Li、B、C、N、O、F、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pb、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、I、Cs、Ba、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi中的一种或多种元素。

4.根据权利要求1所述的超导接头,其特征在于:所述的金属包套是金属箔、金属片或者金属管,种类为金属单质或合金;所述的金属包套为单层或者双层以上的复合包套。

5.根据权利要求1所述的超导接头,其特征在于:所述的超导接头用于超导体连接或者超导磁体绕组。

6.制备权利要求1-5的任一项所述超导接头的方法,其特征在于制备步骤如下:

(1)打磨被连接的超导体的末端,使其超导芯露出;

(2)将步骤(1)处理过的超导体末端埋入硼粉中,压实硼粉使其密度达到理论密度的25%-70%之间;

(3)在硼粉表面覆盖镁粉,再将被连接的超导体、硼粉和镁粉用金属包套包裹;

(4)焊接经步骤(3)处理过的金属包套;

(5)对经上述步骤(4)制备的金属包套进行热处理,得到超导接头。

7.根据权利要求6所述的制备超导接头的方法,其特征在于:硼与镁的原子比不高于2。

8.根据权利要求6所述的制备超导接头的方法,其特征在于:优选的热处理温度为600-950℃,保温时间1分钟-100小时。

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