[发明专利]纳米气敏传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种纳米气敏传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成第一介质层；

在所述第一介质层表面形成第一气敏层；

在所述第一气敏层表面形成隔热层；

在所述隔热层表面形成第二气敏层；

在所述第二气敏层表面形成硬掩膜层；

对所述衬底进行退火，使得第一气敏层和第二气敏层具有的纳米晶面不相同；

在硬掩膜层上形成图案，沿所述图案依次刻蚀硬掩膜层、第二气敏层、隔热层、第一气敏层和第一介质层，直至暴露出衬底，形成第一气敏单元和第二气敏单元；

去除硬掩膜层；

形成覆盖所述衬底和第一敏单元和第二气敏单元的第二介质层；

在所述第二介质层表面形成掩膜图形，以所述掩膜图形为掩膜，去除第二介质层直至暴露出衬底，且暴露出第二气敏单元表面以及隔热层和第一介质层的侧面；

侧向选择性去除第二气敏单元下方的隔热层以及第一气敏单元下方的第一介质层，使得第一气敏单元和第二气敏单元悬空，从而使得第一气敏单元暴露出的纳米晶面与第二气敏单元暴露出的纳米晶面不相同；

在第一气敏单元和第二气敏单元的两侧形成工作电极。

2.如权利要求1所述的纳米气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第一气敏层与第二气敏层材料相同。

3.如权利要求1所述的纳米气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第一气敏层和第二气敏层的材料为氧化钛、氧化锡或氧化锌。

4.如权利要求1所述的纳米气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第一气敏层或第二气敏层的暴露出的纳米晶面为{001}、{110}或{111}。

5.如权利要求1所述的纳米气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第一气敏层和第二气敏层厚度相同。

6.如权利要求1所述的纳米气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第一气敏层和第二气敏层厚度不同。

7.如权利要求6所述的纳米气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第二气敏层的厚度大于所述第一气敏层厚度。

8.如权利要求1所述的纳米气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化硅。

9.如权利要求1所述的纳米气敏传感器的形成方法，其特征在于，所述隔热层为氮化硅。

10.一种如权利要求1至9任一项形成方法形成的纳米气敏传感器，其特征在于，包括：

衬底；

依次悬空于衬底表面的第一气敏单元和第二气敏单元；

位于所述第一气敏单元和第二气敏单元的两侧的工作电极。