[发明专利]防眩光蓝宝石屏幕及其制备方法有效
申请号: | 201710906089.1 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107868937B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 易伟华;张迅;周慧蓉;张伯伦 | 申请(专利权)人: | 江西沃格光电股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/10;C23C14/35;C30B15/34;C30B29/20;H04M1/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 生启 |
地址: | 338004 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 眩光 蓝宝石 屏幕 及其 制备 方法 | ||
1.一种防眩光蓝宝石屏幕,其特征在于,包括蓝宝石晶片及依次层叠于所述蓝宝石晶片一个表面的第一二氧化钛层、第一二氧化硅层、第二二氧化钛层及第二二氧化硅层;
其中,所述第一二氧化钛层的厚度为15nm~25nm;所述第一二氧化硅层的厚度为55nm~65nm;所述第二二氧化钛层的厚度为15nm~25nm;所述第二二氧化硅层的厚度为55nm~65nm;
还包括依次层叠于所述蓝宝石晶片远离所述第一二氧化钛层的表面的第三二氧化钛层、第三二氧化硅层、第四二氧化钛层及第四二氧化硅层;
所述第三二氧化钛层的厚度为15nm~25nm;所述第三二氧化硅层的厚度为55nm~65nm;所述第四二氧化钛层的厚度为15nm~25nm;所述第四二氧化硅层的厚度为55nm~65nm;
所述蓝宝石晶片的厚度为0.6mm~1.2mm,所述蓝宝石晶片通过如下步骤制备得到:
生长蓝宝石晶片;
对所述蓝宝石晶片进行退火处理;
对所述蓝宝石晶片进行切割处理;及
对所述蓝宝石晶片进行抛光处理;
采用导模法生长蓝宝石晶片;模具为钼制片状模具,原材料为氧化铝,发热体为石墨;
所述退火处理在保护性气体气氛下,升温至1550℃~1650℃保温37h~40h。
2.一种防眩光蓝宝石屏幕的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在蓝宝石晶片的表面依次层积第一二氧化钛层、第一二氧化硅层、第二二氧化钛层及第二二氧化硅层;
其中,所述第一二氧化钛层的厚度为15nm~25nm;所述第一二氧化硅层的厚度为55nm~65nm;所述第二二氧化钛层的厚度为15nm~25nm;所述第二二氧化硅层的厚度为55nm~65nm;
还包括依次层叠于所述蓝宝石晶片远离所述第一二氧化钛层的表面的第三二氧化钛层、第三二氧化硅层、第四二氧化钛层及第四二氧化硅层;
所述第三二氧化钛层的厚度为15nm~25nm;所述第三二氧化硅层的厚度为55nm~65nm;所述第四二氧化钛层的厚度为15nm~25nm;所述第四二氧化硅层的厚度为55nm~65nm;
所述蓝宝石晶片的厚度为0.6mm~1.2mm,所述在蓝宝石晶片的表面依次层积第一二氧化钛层、第一二氧化硅层、第二二氧化钛层及第二二氧化硅层的步骤前还包括步骤:
生长蓝宝石晶片;
对所述蓝宝石晶片进行退火处理;
对所述蓝宝石晶片进行切割处理;及
对所述蓝宝石晶片进行抛光处理;
采用导模法生长蓝宝石晶片;模具为钼制片状模具,原材料为氧化铝,发热体为石墨;
所述退火处理时在保护性气体气氛下,升温至1550℃~1650℃保温37h~40h。
3.根据权利要求2所述的防眩光蓝宝石屏幕的制备方法,其特征在于,所述退火处理时先以65℃/min~72℃/min的升温速率升温至950℃~1050℃后保温1.9h~2.1h;再在保护性气体气氛下,以48℃/min~55℃/min的升温速率升温至1550℃~1650℃保温37h~40h。
4.根据权利要求2所述的防眩光蓝宝石屏幕的制备方法,其特征在于,采用金刚砂线与切割液配合对所述蓝宝石晶片进行切割处理;
其中,所述金刚砂线的直径为0.1mm~0.12mm,所述金刚砂线上金刚石的粒径为20μm~30μm;所述金刚砂线的运动速度为12m/s~15m/s;所述蓝宝石晶片相对于所述金刚砂线的移动速度为0.3mm/s~0.5mm/s;所述切割液包括金刚石颗粒和刚玉颗粒,所述金刚石颗粒的粒径为10μm~20μm,所述刚玉颗粒的粒径为30μm~40μm;
及/或,采用皮秒激光对所述蓝宝石晶片进行切割处理;
其中,所述皮秒激光的单脉冲能量为140μJ~160μJ,所述皮秒激光的激光束直径为0.01mm~0.02mm;采用所述皮秒激光进行切割时的切割速率为5mm/s~8mm/s。
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