[发明专利]一种带晶界图案的铝合金二次阳极氧化处理方法

权利要求书

1.一种带晶界图案的铝合金二次阳极氧化处理方法，其特征在于：包括如下步骤：a、第一次抛光：对铝合金基材表面进行抛光并清洗干净；b、晶界蚀刻：采用蚀刻药水浸泡基材，对其表面的晶界进行选择性侵蚀，之后将基材取出依次进行水洗、中和、水洗处理，使材料表面呈现出明显的晶界图案；c、第一次阳极氧化：对基材进行第一次阳极氧化处理，工序为：阳极氧化、清洗、活化、清洗、染色、清洗、封孔、清洗、烘干；使其表面及晶界凹槽内壁上均匀生成一层带有所需颜色的氧化膜；d、第二次抛光：对基材进行抛光处理并清洗干净，使其表面的阳极氧化膜被均匀去除并刚好裸露出底层基材，但保留了晶界凹槽内壁上的氧化膜；e、第二次阳极氧化：对基材进行第二次阳极氧化处理，使其表面除晶界凹槽以外的区域，即晶粒表面生成一层带有所需颜色的氧化膜，工序为：阳极氧化、清洗、活化、清洗、染色、清洗、封孔、清洗、烘干；步骤b中的蚀刻药水由硫酸、磷酸、铝离子、去离子水组成；硫酸与磷酸的体积比为4：0-1：3，硫酸与磷酸的体积之和与去离子水的体积比为1:3-3:1，铝离子浓度为0.001-7g/l。

2.根据权利要求1所述的带晶界图案的铝合金二次阳极氧化处理方法，其特征在于：所述步骤a中经过抛光并清洗干净铝合金基材表面糙度优选为低于0.1微米。

3.根据权利要求1所述的带晶界图案的铝合金二次阳极氧化处理方法，其特征在于：步骤b中晶界图案中的凹槽平均深度和平均宽度分别为10-50微米和40-110微米。

4.根据权利要求1所述的带晶界图案的铝合金二次阳极氧化处理方法，其特征在于：所用硫酸质量浓度为98％，磷酸质量浓度为85％，铝离子通过往配方中添加溶解含铝的硫酸盐或磷酸盐获得。

5.根据权利要求1所述的带晶界图案的铝合金二次阳极氧化处理方法，其特征在于：蚀刻药水的应用条件为：温度85-95℃,浸泡时间15-60分钟。

6.根据权利要求1所述的带晶界图案的铝合金二次阳极氧化处理方法，其特征在于：所述中和处理采用1％碳酸钠溶液，处理温度为室温，时间30-120秒。

7.根据权利要求1所述的带晶界图案的铝合金二次阳极氧化处理方法，其特征在于：第一次阳极氧化表面生成的氧化膜厚度为6～12微米，第二次阳极氧化后表面生成的氧化膜厚度为10～15微米。

8.根据权利要求1所述的带晶界图案的铝合金二次阳极氧化处理方法，其特征在于：阳极氧化条件为，槽液为180-210g/l游离硫酸，含5-15g/l铝离子，温度18-22℃，一次阳极氧化采用电流密度1.2-1.8A/dm²，二次阳极氧化采用电流密度0.8-1.2A/dm²。