[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件（100、400），包括：

晶体管布置；以及

耦合在所述晶体管布置的栅极电极结构（142）和所述晶体管布置的源极电极结构（140）之间的二极管结构（130），其中，绝缘层（104）垂直地在所述半导体器件的所述二极管结构（130）和半导体衬底（102）的正侧表面之间定位，其中，所述二极管结构（130）包括至少一个二极管pn结（138），

其中，衬底pn结（115）在屏蔽掺杂区域（110）和边缘掺杂部分（120）之间从所述半导体衬底（102）的所述正侧表面延伸到所述半导体衬底（102）中，所述边缘掺杂部分（120）在所述半导体衬底（102）内与所述屏蔽掺杂区域（110）相邻定位，

其中，所述衬底pn结（115）在所述半导体衬底（102）的正侧表面处横向地在所述二极管pn结（138）和所述二极管结构（130）与所述源极电极结构（140）的源极接触区域（134）之间定位。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述屏蔽掺杂区域（110）在所述半导体衬底（102）的正侧表面处至少从所述衬底pn结（115）横向延伸到所述二极管结构（130）的源极接触区域（134）。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述二极管结构（130）包括横向地在所述二极管结构（130）的二极管pn结（138）和源极接触区域（134）之间定位的第一导电类型的第一二极管掺杂区域，并且包括横向地在所述二极管pn结（138）和所述二极管结构（130）与所述栅极电极结构（142）的栅极接触区域（136）之间定位的第一导电类型的第二二极管掺杂区域。

4.根据在先权利要求1-2中一项所述的半导体器件，其中，所述屏蔽掺杂区域（110）包括垂直地在所述边缘掺杂部分（120）下方定位的掩埋部分。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，在所述半导体衬底（102）的正侧表面和所述屏蔽掺杂区域（110）的掩埋部分之间的所述边缘掺杂部分（120）的最大垂直延伸小于10μm。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述屏蔽掺杂区域（110）的所述掩埋部分至少包括具有在所述晶体管布置的阻断模式下向所述晶体管布置施加最大工作电压期间可耗尽的掺杂的一部分。

7.根据在先权利要求1-2中一项所述的半导体器件，其中，所述半导体衬底（102）的公共掺杂区域包括所述边缘掺杂部分（120）和所述晶体管布置的漂移区域。

8.根据在先权利要求1-2中一项所述的半导体器件，其中，所述屏蔽掺杂区域（110）包括不可耗尽的掺杂部分，其中，所述不可耗尽的掺杂部分包括在所述晶体管布置的阻断模式期间不可被施加到所述晶体管布置的电压耗尽的掺杂，其中，所述不可耗尽的掺杂部分在所述半导体衬底的正侧表面处从所述晶体管布置的单元区域横向延伸到距所述衬底pn结（115）小于500 nm的距离。