[发明专利]一种消除背靠背双PMOS电路上电台阶的方法

权利要求书

1.一种消除背靠背双PMOS电路上电台阶的方法，其特征在于，所述方法基于：PMOS_1、PMOS_2、供电电源P3V3、电池电压P3V3_MR、电源轨P3V3_REG、限流开关、逆变器、电阻R1、电路R2；

所述PMOS_1和PMOS_2背靠背布置；

所述PMOS_1 S脚连接电源轨P3V3_REG，PMOS_1的D脚通过限流开关连接供电电源P3V3，限流开关的ON信号为产生P3V3_MR的VR使能信号，PMOS_1的G脚连接控制信号Control_N和逆变器的输入端，PMOS_1的G脚还通过电阻R1连接PMOS_1的S脚；

所述PMOS_2的S脚连接电源轨P3V3_REG，PMOS_2的D脚直接连接电池电压P3V3_MR，PMOS_2的G脚连接逆变器的输出端；

所述PMOS_2的G脚还通过电阻R2接地，所述逆变器由供电电源P3V3进行供电，通过改变电路的上电时序，实现双PMOS隔离切换电路的上电波形平滑稳定。

2.根据权利要求1所述的一种消除背靠背双PMOS电路上电台阶的方法，其特征在于，所述电池电压P3V3_MR作为备用电源，由电池或超级电容产生。

3.根据权利要求1所述的一种消除背靠背双PMOS电路上电台阶的方法，其特征在于，电路稳定工作时，PMOS_1导通，所述电源轨P3V3_REG由所述供电电源P3V3产生。

4.根据权利要求1所述的一种消除背靠背双PMOS电路上电台阶的方法，其特征在于，Control_N在上电过程及电路稳定工作过程中保持低电平，Control_N在电路异常掉电时变为高电平。

5.一种背靠背双PMOS隔离切换电路，包括PMOS_1、PMOS_2、供电电源P3V3、电池电压P3V3_MR、电源轨P3V3_REG、限流开关、逆变器、电阻R1、电路R2，其特征在于，

所述PMOS_1和PMOS_2背靠背布置；

所述PMOS_1 S脚连接电源轨P3V3_REG，PMOS_1的D脚通过限流开关连接供电电源P3V3，限流开关的ON信号为产生P3V3_MR的VR使能信号，PMOS_1的G脚连接控制信号Control_N和逆变器的输入端，PMOS_1的G脚还通过电阻R1连接PMOS_1的S脚；

所述PMOS_2的S脚连接电源轨P3V3_REG，PMOS_2的D脚直接连接电池电压P3V3_MR，PMOS_2的的G脚连接逆变器的输出端，PMOS_2的G脚还通过电阻R2接地；

所述逆变器由供电电源P3V3进行供电。

6.根据权利要求1所述的一种背靠背双PMOS隔离切换电路，其特征在于，电路稳定工作时，PMOS_1导通，所述电源轨P3V3_REG由所述供电电源P3V3产生。

7.根据权利要求1所述的一种背靠背双PMOS隔离切换电路，其特征在于，Control_N在上电过程及电路稳定工作过程中保持低电平，Control_N在电路异常掉电时变为高电平。