[发明专利]电压调制器及模拟电路、数字系统电路在审
| 申请号： | 201710907913.5 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107544602A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 周昊翔;谢俊杰;李天望;姜黎 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 长沙市阿凡提知识产权代理有限公司43216 | 代理人： | 刘伟 |
| 地址： | 410125 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 调制器 模拟 电路 数字 系统 | ||
1.一种基于耗尽管的低静态功耗电压调制器，其特征在于，包括：电源端、接地端、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻及输出端；其中，
所述第一晶体管、所述第二晶体管依次串接于所述电源端与所述接地端之间；
所述第三晶体管、所述第一电阻、所述第二电阻及所述第三电阻依次串接于所述电源端与所述接地端之间；
所述输出端电连接至所述第三晶体管和所述第一电阻串接形成的节点处。
2.根据权利要求1所述的基于耗尽管的低静态功耗电压调制器，其特征在于，还包括负载电阻，所述负载电阻串接于所述第三晶体管和所述第一电阻串接形成的节点处与所述接地端之间。
3.根据权利要求1所述的基于耗尽管的低静态功耗电压调制器，其特征在于，所述第一晶体管和所述第三晶体管为耗尽型NMOS管，所述第二晶体管为增强型NMOS管。
4.根据权利要求1所述的基于耗尽管的低静态功耗电压调制器，其特征在于，所述第一晶体管的栅极电连接至所述第三晶体管的栅极且电连接至所述第一晶体管的漏极串接形成的节点处。
5.根据权利要求4所述的基于耗尽管的低静态功耗电压调制器，其特征在于，所述第二晶体管的栅极电连接至所述第二电阻和所述第三电阻串接形成的节点处。
6.根据权利要求1所述的基于耗尽管的低静态功耗电压调制器，其特征在于，所述输出端的输出电压用于驱动负载。
7.根据权利要求6所述的基于耗尽管的低静态功耗电压调制器，其特征在于，所述输出端用作数字电路或模拟电路的电源。
8.根据权利要求1所述的基于耗尽管的低静态功耗电压调制器，其特征在于，所述输出端(VOUT)的输出电压值通过所述第一电阻(R1)、所述第二电阻(R2)及所述第三电阻(R3)的阻值比例确定。
9.一种模拟电路，其特征在于，包括根据权利要求1～8任一项所述的电压调制器。
10.一种数字系统电路，其特征在于，包括根据权利要求1～8任一项所述的电压调制器。
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