[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201710908171.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107623009A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 王守坤;郭会斌;韩皓;付方彬;宋勇志 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 罗瑞芝,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括显示区和位于所述显示区周边的非显示区，所述显示区包括多个像素区，所述显示区和所述非显示区均开设有过孔，其特征在于，所述像素区在朝向显示侧的一侧设置有反射层，所述反射层用于反射所述阵列基板的外部光源以形成显示图像；
以及，所述显示区和所述非显示区的过孔的区域还至少设置有抗劣化层，所述抗劣化层与所述反射层接触、且相对所述反射层更远离外部光源。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述显示区，所述抗劣化层和所述反射层具有相同的图形。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述抗劣化层采用钼、铌、钼钛合金中的任一种材料或组合材料形成。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层采用铝、银、铝钕合金中的任一种材料或组合材料形成。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，每一所述像素区均设置有薄膜晶体管，所述反射层和所述抗劣化层与薄膜晶体管的漏极相连接。
6.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和位于所述显示区周边的非显示区，所述显示区包括多个像素区，所述显示区和所述非显示区均开设有过孔，其特征在于，所述像素区在朝向显示侧的一侧形成有反射层，所述反射层用于反射所述阵列基板的外部光源以形成显示图像；
以及，所述显示区和所述非显示区的过孔的区域还至少形成有抗劣化层，所述抗劣化层与所述反射层接触、且相对所述反射层更远离外部光源。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述显示区，所述抗劣化层和所述反射层具有相同的图形，且在同一构图工艺中形成。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括所述抗劣化层和所述反射层的图形，采用半色调掩模板或灰色调掩模板形成；其中：对应着所述显示区的像素区和过孔的区域为遮挡区域，对应着所述非显示区的过孔的区域为半曝光区域，其他区域为完全曝光区域。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，每一所述像素区均形成有薄膜晶体管，所述反射层和所述抗劣化层与薄膜晶体管的漏极相连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
