[发明专利]基于双栅结构的半导体高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种基于双栅结构的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括衬底(101)、设于衬底(101)上方的沟道层(102)以及设于沟道层(102)上方的势垒层(103)，所述衬底(101)和沟道层(102)之间，还包括缓冲层和成核层；在所述势垒层(103)的上方两端分别设有源极(104)和漏极(109)，所述源极(104)和漏极(109)之间为绝缘栅介质(105)，所述绝缘栅介质(105)的上方设有远栅极(106)，所述绝缘栅介质(105)和势垒层(103)之间设有近栅极(107)；所述源极(104)和远栅极(106)之间、远栅极(106)和漏极(109)之间，均设有器件钝化介质(108)。

2.根据权利要求1所述的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述远栅极(106)的近漏端超过近栅极(107)的长度。

3.根据权利要求1所述的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述晶体管采用GAN、GaAs或者InP。

4.根据权利要求1所述的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述衬底(101)选用SiC、Si或者蓝宝石。

5.根据权利要求1所述的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述势垒层(103)采用本征AlGaN或InAlN。

6.根据权利要求1所述的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述绝缘栅介质(105)根据介质介电强度和介电常数的要求采用HfO2、Al₂O₃或Si₃N₄。

7.根据权利要求1所述的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述远栅极(106)采用Au或Cu。

8.根据权利要求1所述的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述近栅极(107)采用Ni和Au两层金属。

9.根据权利要求1所述的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述器件钝化介质(108)为Si₃N₄或者有机聚合物。

10.根据权利要求9所述的半导体高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述有机聚合物为聚对二甲苯或者BCB。