[发明专利]一种VOA恒功率控制的装置和方法在审

专利信息
申请号: 201710908791.1 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN107689833A 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 胡毅;张博;陈宏刚 申请(专利权)人: 武汉光迅科技股份有限公司
主分类号: H04B10/564 分类号: H04B10/564;H04B10/69
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司11340 代理人: 刘黎明
地址: 430205 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 voa 功率 控制 装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种功率控制装置及方法,属于光通信技术领域,具体是涉及一种VOA恒功率控制的装置和方法。

背景技术

VOA(可调光衰减器)在光通信中具有广泛的应用,其主要功能是用来降低或控制光信号。光网络最基本的特性应该是光功率可调,特别是随着DWDM传输系统和EDFA在光通信中的应用,在多个光信号传输通道上必须进行增益平坦化或信道功率均衡,在光接收器端要进行动态功率控制,光网络中也还需要对其它光信号进行控制,这些都使得VOA成为其中不可或缺的关键器件。

VOA为电压控制器件,本身类似热敏电阻。在VOA两端施加一个电压,VOA便会根据特性曲线,产生不同的衰减值。VOA有两种特性曲线:电压衰减特性曲线和功率衰减特性曲线。这两种特性曲线分别对应不同的控制方法:恒电压控制和恒功率控制。恒电压控制:针对某一个衰减值,外部控制电路给VOA施加一个固定的电压。恒功率控制:针对某一个衰减值,外部控制电路预设一个固定的功率值,该功率值等于VOA两端电压U和通过VOA电流I的乘积。恒电压控制和恒功率控制的区别在于:在温度变化较大的场合,恒电压控制下的VOA衰减值变化较大,而恒功率控制下的VOA衰减值变化很小。对VOA衰减值变化要求较小的场合,必须使用恒功率控制。本发明提供VOA的一种恒功率控制方法。

发明内容

本发明主要是解决现有技术所存在的上述的技术问题,提供了一种VOA恒功率控制的装置和方法。该装置及方法控制速度快,精度高,能有效满足电信传输网的使用要求。

本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:

一种VOA恒功率控制的装置,包括:

PMOSFET管,其源极S接电源,其漏极D与VOA的输入端相连;

乘法器,其输入分别连接用于检测VOA两端电压的差分放大电路以及用于检测流经VOA电流信号的电流取样电阻,其输出连接电压校准电路;

积分电路,与PMOSFET管相连,用于获取电压校准电路输入的VOA实际功率和预设的参考功率的差值,并将所述差值送至PMOSFET管的基极。

优选的,上述的一种VOA恒功率控制的装置,包括:所述差分放大电路设置VOA的两端,所述电流取样电阻通过电压放大电路连接乘法器的输入。

优选的,上述的一种VOA恒功率控制的装置,所述乘法器为模拟乘法器。

优选的,上述的一种VOA恒功率控制的装置,所述参考功率值通过一连接于电源的可调电位器获得。

一种VOA恒功率控制方法,包括:

功率测量步骤,用于根据测量得到的VOA两端电压值以及其电流值计算得到VOA的实际功率;

功率比较步骤,用于所述实际功率和预设的参考功率的差值;

反馈调整步骤,用于将所述差值对应的电压送至其源极S和漏极D分别连接电源和VOA输入端的PMOSFET管的基极。

优选的,上述的一种VOA恒功率控制方法,包括:当温度升高时,VOA自身的电阻值变小,VOA两端的电压信号U变小,实际功率变小,所述差值对应的电压变小,PMOSFET的基极G和源极S之间的电压变大,则通过VOA的电流I变大,从而导致VOA两端的电压信号U和通过VOA的电流信号I均变大。

优选的,上述的一种VOA恒功率控制方法,包括:当温度升高时,当温度降低时,VOA自身的电阻值变大,VOA两端的电压信号变大,实测功率变大,所述差值对应的电压变大,PMOSFET的基极G和源极S之间的电压变小,则通过VOA的电流I变小,从而导致VOA两端的电压信号U和通过VOA的电流信号I均变小。

因此,本发明具有如下优点:全部采用硬件电路实现,控制速度快,精度高,能有效满足电信传输网的使用要求。

附图说明

附图1是本发明的一种原理图;

具体实施方式

下面通过实施例,并结合附图,对本发明的技术方案作进一步具体的说明。

实施例:

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