[发明专利]一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、选用0.001-0.014Ω·cm的N型晶向单晶硅衬底硅片，对衬底硅片一次清洗；

b、对完成步骤a的衬底硅片依次进行化学抛光、热处理吸杂和衬底硅片二次清洗；

c、对完成步骤b的衬底硅片依次进行初始氧化、基区光刻、硼扩散处理、一次退火处理、引线孔光刻、衬底硅片Al金属蒸发、正面金属光刻和二次退火处理；

d、对完成步骤d的衬底硅片采用HF：H₂O=1:10的清洗液清洗120±10s，超声波清洗1-2min，再采用HF：H₂O=1:10的清洗液清洗20±2s；

e、对完成步骤d的衬底硅片依次进行Ti金属蒸发、Ni金属蒸发和Ag金属蒸发；

f、对完成步骤e的衬底硅片依次进行正面金属光刻、正面金属腐蚀、正面金属去胶和正面金属合金；

g、对完成正面金属合金的衬底硅片进行电性测试、减薄、背面去应力腐蚀，划片入库。

2.如权利要求1所述一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤b中化学抛光的具体步骤为：

衬底硅片采用HNO₃：HF：CH₃COOH：H₂O =5：1：3：20的化学腐蚀液在12-18℃腐蚀10±1min，清洗干净甩干。

3.如权利要求1所述一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤b中热处理吸杂的具体步骤为：

衬底硅片采用NH₃H₂O:H₂O₂:H₂O=1:1:5的清洗液和HCL:H₂O₂:H₂O =1:1:5的清洗液在75±5℃各清洗10min，使用清水冲水10±1min，甩干；将清洗干净的衬底硅片放入石英舟，舟速20±1cm/s进舟至石英炉管内并盖好磨口，在750±3℃向石英炉管内通入氮气30±1min，氮气通入量6±1L/min，石英炉管温度由750℃提升至1050℃，保持1050±3℃的石英炉管温度60±1min，降温至950±3℃并保持30±1min，再升温至1250±3℃，在1250±3℃向石英炉管内通入三氯乙烷蒸汽30±1min，再向石英炉管内通入氧气60±1min，所述三氯乙烷通入量为80±1L/min，将石英炉管温度降至750℃，取下磨口，舟速20±1cm/s出舟取片。

4.如权利要求1所述一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤c中一次退火处理的具体步骤为：

将完成硼扩散处理的衬底硅片放入石英炉管中，在750±3℃通入氮气80±1min，氮气通入量6±1L/min，同时将石英炉管温度由750℃升提至1150℃，温度保持在1150±3℃，停止氮气改通氧气，氧气通入10±1min后，改通氧气和氢气进行氢氧合成，氢氧合成时间为240±1min，其中氧气通入速度为3.5±1 L/min，氢气通入速度为6.5±1 L/min，氢氧合成结束后再通入氧气20±1min，其中氧气通入速度为3.5±1 L/min，然后通入三氯乙烷蒸汽10±1min，其中三氯乙烷蒸汽通入速度为80±1 L/min，再通氧气140±1min，将石英炉管温度降至750℃，取下磨口，舟速20±1cm/s出舟取片。

5.如权利要求1所述一种瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤c中二次退火处理的具体步骤为：

将完成正面金属光刻的衬底硅片放入石英炉管中，向石英炉管内通入氮气并提升石英炉管温度至975℃，石英炉管升温时间为5±1s，氮气通入速度4L/min，保持975℃的石英炉管温度25±1s，将石英炉管温度降至150±5℃停止氮气通入，出舟取片。