[发明专利]阵列基板及其像素的制作方法、液晶面板在审
申请号: | 201710909023.8 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107436521A | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰,武岑飞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 像素 制作方法 液晶面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:数据线、栅极线和公共电极线,所述数据线和所述公共电极线沿列方向延伸,所述栅极线沿行方向延伸,所述数据线与所述栅极线交叉设置,所述公共电极线和所述数据线平行设置,且所述公共电极线与所述栅极线不交叉重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:多个像素块,所述多个像素块阵列排布,每个像素块包括沿行方向排列的两个像素,所述数据线设置于所述像素块之间,所述栅极线设置于所述像素块之间,所述像素与对应的所述数据线和对应的所述栅极线连接,每个像素块的两个像素之间设置所述公共电极线。
3.根据权利要求2所述阵列基板,其特征在于,每相邻的两列像素块之间设置一条数据线,所述一条数据线与其相邻的两列像素中的每个像素连接。
4.根据权利要求2或3所述阵列基板,其特征在于,每相邻的两行像素块之间设置两条栅极线,所述两条栅极线之一与其相邻的一行像素块中的位于奇数列的像素连接,所述两条栅极线之另一与其相邻的一行像素块中的位于偶数列的像素连接;
或者每相邻的两行像素块之间设置两条栅极线,所述两条栅极线之一与其相邻的一行像素块中的位于偶数列的像素连接,所述两条栅极线之另一与其相邻的一行像素块中的位于奇数列的像素连接。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素包括:薄膜晶体管、像素电极、公共电极及液晶,所述薄膜晶体管的栅极连接到对应的栅极线,所述薄膜晶体管的源极或漏极连接到对应的数据线,所述薄膜晶体管的漏极或源极连接到所述像素电极,所述像素电极与所述公共电极彼此间隔,所述液晶设置于所述像素电极和所述公共电极之间,所述公共电极与对应的公共电极线连接。
6.一种如权利要求5所述的阵列基板的像素的制作方法,其特征在于,包括步骤:
在基板上形成薄膜晶体管及与该薄膜晶体管间隔的公共电极线;
在所述薄膜晶体管的源极或漏极上形成像素电极;
形成覆盖所述薄膜晶体管、所述公共电极线及所述像素电极的绝缘材料层;
在所述绝缘材料层中形成暴露所述公共电极线的过孔;
在所述绝缘材料层上形成公共电极,所述公共电极填充所述过孔以与所述公共电极线连接。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,形成所述薄膜晶体管和所述公共电极线的方法包括步骤:
在所述基板上形成栅极;
在所述基板和所述栅极上形成栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上同时形成有源层、位于所述有源层上且彼此间隔的源极和漏极以及与所述有源层间隔的公共电极线。
8.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,形成所述绝缘材料层的方法包括步骤:
形成覆盖所述薄膜晶体管、所述公共电极线及所述像素电极的氮化硅层;
形成覆盖所述氮化硅层的有机绝缘材料层。
9.一种液晶面板,其特征在于,包括权利要求1至5任一项所述的阵列基板。
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