[发明专利]一种三维芯片封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种三维芯片封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一承载基板；

于所述承载基板上形成粘附层；

于所述粘附层上粘附穿孔硅中介层，所述穿孔硅中介层包括绝缘基板及多个上下贯穿所述绝缘基板的导电柱；

提供至少一个裸片，将所述裸片正面朝下装设于所述穿孔硅中介层上；

于所述粘附层上形成覆盖所述裸片及所述穿孔硅中介层的塑封层；

去除所述承载基板及粘附层，得到包括所述穿孔硅中介层、所述裸片及所述塑封层的三维芯片模块；

提供一封装基板，将所述三维芯片模块具有所述穿孔硅中介层的一面装设于所述封装基板上。

2.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构的封装方法，其特征在于：所述三维芯片模块与所述封装基板之间具有间隙；将所述三维芯片模块装设于所述封装基板上之后，还包括于所述间隙中形成保护层的步骤。

3.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构的封装方法，其特征在于：于所述粘附层上粘附所述穿孔硅中介层之后，还包括于所述穿孔硅中介层上形成重新布线层的步骤，以使所述裸片通过所述重新布线层与所述穿孔硅中介层电性连接。

4.根据权利要求3所述的三维芯片封装结构的封装方法，其特征在于：所述重新布线层包括至少一层图形化的介质层及至少一层图形化的金属布线层。

5.根据权利要求3所述的三维芯片封装结构的封装方法，其特征在于：所述裸片的正面带有导电凸块，所述裸片通过所述导电凸块与所述重新布线层电性连接。

6.根据权利要求3所述的三维芯片封装结构的封装方法，其特征在于：于所述穿孔硅中介层上形成重新布线层之后，还包括于所述重新布线层上形成凸块结构的步骤，以使所述裸片通过所述凸块结构与所述重新布线层电性连接。

7.根据权利要求6所述的三维芯片封装结构的封装方法，其特征在于：所述凸块结构包括金属柱及连接于所述导电柱上方的焊料凸点，或者所述凸块结构仅包括焊料凸点。

8.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构的封装方法，其特征在于：所述导电柱面向所述粘附层的一面连接有导电凸点，于所述粘附层上粘附穿孔硅中介层时，所述导电凸点嵌入所述粘附层中。

9.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构的封装方法，其特征在于：通过切割穿孔硅中介晶圆得到所述穿孔硅中介层。

10.一种三维芯片封装结构，包括封装基板及电性连接于所述封装基板上方的三维芯片模块，其特征在于，所述三维芯片模块包括：

穿孔硅中介层，包括绝缘基板及多个上下贯穿所述绝缘基板的导电柱，所述导电柱与所述封装基板电性连接；

至少一个裸片，所述裸片正面朝下装设于所述穿孔硅中介层上；

塑封层，覆盖所述裸片及所述穿孔硅中介层。

11.根据权利要求10所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述三维芯片模块与所述封装基板之间具有间隙，所述间隙中形成有保护层。

12.根据权利要求10所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述裸片与所述穿孔硅中介层之间形成有重新布线层，以使所述裸片通过所述重新布线层与所述穿孔硅中介层电性连接。

13.根据权利要求12所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括至少一层图形化的介质层及至少一层图形化的金属布线层。

14.根据权利要求12所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述裸片的正面带有导电凸块，所述裸片通过所述导电凸块与所述重新布线层电性连接。

15.根据权利要求12所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述重新布线层上设置有凸块结构，以使所述裸片通过所述凸块结构与所述重新布线层电性连接；所述凸块结构包括金属柱及连接于所述金属柱上方的焊料凸点，或者所述凸块结构仅包括焊料凸点。

16.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述导电柱通过导电凸点与所述封装基板电性连接。