[发明专利]倍频器及其制备方法

权利要求书

1.一种倍频器制备方法，其特征在于，包括：

步骤1，在栅极导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行退火处理，其中，所述氧化物半导体层为IGZO层；

步骤2，在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层，蒸镀温度为103~120摄氏度，速率为0.1nm/s~1nm/s，其中，所述有机小分子层为C8-btbt层；

步骤3，在所述有机小分子层表面蒸镀漏极和源极，获得双极性场效应管作为倍频器；所述倍频器以有机小分子层作为P型有源层，以氧化物半导体层作为N型有源层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

以所述介电层为基材，氧化物半导体为靶材，利用射频磁控溅射法，在衬底上的介电层表面制备氧化物半导体层；

将所述氧化物半导体层在空气中加热至350摄氏度退火30分钟。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤3中，所述在所述有机小分子层表面蒸镀漏极和源极具体包括：

将掩膜版覆盖至所述有机小分子层表面；

在所述掩膜版内依次蒸镀一定厚度的氧化钼和金，获得金属电极阵列；

选取可用的两个金属电极作为漏极和源极。

4.一种倍频器，其特征在于，包括：栅极导电层、介电层、氧化物半导体层、有机小分子层、漏极和源极；

所述介电层位于所述栅极导电层上表面，还位于所述氧化物半导体层下表面，其中，所述氧化物半导体层为IGZO层；

所述有机小分子层位于所述氧化物半导体层上表面，其中，所述有机小分子层形成的蒸镀温度为103~120摄氏度，速率为0.1nm/s~1nm/s，所述有机小分子层为C8-btbt层；

所述漏极和源极分别位于所述有机小分子层上表面。

5.根据权利要求4所述的倍频器，所述源极和所述漏极之间沟道的长度为10μm，宽度为20μm。

6.根据权利要求4所述的倍频器，所述栅极导电层为硅片。

7.根据权利要求4所述的倍频器，所述漏极和源极均包括氧化钼层和金层；所述氧化钼层位于所述有机小分子层上表面，还位于所述金层下表面。