[发明专利]一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法

权利要求书

1.一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、提供衬底，并进行清洗；

步骤二、在衬底上旋涂光刻胶,并进行前烘；

步骤三、对光刻胶进行曝光；

步骤四、对曝光后的样品进行显影；

步骤五、利用镀膜工艺在光刻胶表层沉积功能材料薄膜；

步骤六、在已经沉积功能材料薄膜的衬底上旋涂一层平坦化材料；

步骤七、烘烤，去除平坦化材料中的溶剂；

步骤八、利用抛光工艺，将平坦化层及突出的功能材料薄膜去除，直到抛光到下层光刻胶为止；

步骤九、利用选择性去除技术或加热去除剩余光刻胶；从而获得高深宽比高保形纳米级正型结构图形。

2.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤二中的光刻胶为聚甲基丙烯酸甲酯，ZEP520或者正型紫外光刻胶。

3.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，利用光刻技术对光刻胶表层进行曝光显影，所述光刻技术为电子束曝光技术、离子束曝光技术、紫外或者极紫外曝光技术、X射线曝光技术、激光干涉光刻技术或纳米压印；显影的时间为30秒以上。

4.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤五中的镀膜工艺为原子层沉积、磁控溅射、电镀、离子镀或化学气相沉积；沉积的功能材料薄膜为固态光介质、机械波介质、磁介质或电介质；所述电介质包括金属和半导体材料。

5.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤六中的平坦化层为聚甲基丙烯酸甲酯、旋转涂布玻璃或氢倍半硅氧烷。

6.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤七中烘烤的温度<100℃，烘烤的时间为5～10分钟。

7.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤八中抛光方法为：离子束抛光、化学机械抛光或磁流变抛光；所述步骤九中选择性去除技术包括：干法刻蚀、湿法刻蚀。

8.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤八中抛光全部平坦化层以及光刻胶上层的功能材料薄膜。

9.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤九中选择性去除的时间以去除剩余光刻胶或直接热分解去除剩余光刻胶为准。

10.权利要求1到10的任一一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法制作的纳米级正型结构用于制作平面超透镜、纳米间隙表面增强拉曼散射衬底、高密度换能器、高深宽比X射线波带片、标准光栅或高密度特种光栅，或用于超透射或高深宽比电极对、传感器电极。