[发明专利]触摸液晶显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种In-cell触摸液晶显示装置，包括：

下阵列基板；

上阵列基板，所述上阵列基板在所述下阵列基板上并面向所述下阵列基板，并且具有大于所述下阵列基板的面积；

栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线在所述上阵列基板的内表面上，并且彼此交叉以限定像素区域；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述上阵列基板的内表面上；

平坦化层，所述平坦化层在所述上阵列基板的具有所述薄膜晶体管的内表面上，并且将所述薄膜晶体管的漏电极的一部分露出；

公共电极，所述公共电极在所述平坦化层上；

钝化层，所述钝化层在所述平坦化层上，并且将所述漏电极的所述一部分露出；

触摸线，所述触摸线在所述钝化层上；

层间绝缘层，所述层间绝缘层在所述钝化层上，覆盖所述触摸线，并且将所述漏电极的所述一部分、所述触摸线和所述公共电极露出；

多个像素电极，所述多个像素电极在所述层间绝缘层上，与所述公共电极交叠，并且连接至所述漏电极；以及

连接线，所述连接线连接所述触摸线和所述公共电极。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层在所述栅极线和所述薄膜晶体管的栅电极下方，并且在所述上阵列基板的内表面上。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述公共电极被形成为板状。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述公共电极形成在所述像素区域的基本上整个表面上方。

5.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述下阵列基板的外表面上的透明导电层。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述下阵列基板是彩色滤光片阵列基板，以及所述上阵列基板是薄膜晶体管阵列基板。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，通过所述公共电极、形成在所述上阵列基板和所述下阵列基板的侧部处的银点部、以及接地线来产生静电放电路径。

8.一种用于制造In-cell触摸液晶显示装置的方法，包括：

设置下阵列基板和上阵列基板，所述上阵列基板在所述下阵列基板上并面向所述下阵列基板，并且具有大于所述下阵列基板的面积；

形成栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线在所述上阵列基板的内表面上，并且彼此交叉以限定像素区域；

形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述上阵列基板的内表面上；

形成平坦化层，所述平坦化层在所述上阵列基板的具有所述薄膜晶体管的内表面上，并且将所述薄膜晶体管的漏电极的一部分露出；

形成公共电极，所述公共电极在所述平坦化层上；

形成钝化层，所述钝化层在所述平坦化层上，并且将所述漏电极的所述一部分露出；

形成触摸线，所述触摸线在所述钝化层上；

形成层间绝缘层，所述层间绝缘层在所述钝化层上，覆盖所述触摸线，并且将所述漏电极的所述一部分、所述触摸线和所述公共电极漏出；以及

形成多个像素电极和连接线，所述多个像素电极在所述层间绝缘层上，与所述公共电极交叠，并且连接至所述漏电极，所述连接线连接所述触摸线与所述公共电极。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括形成氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层在所述栅极线和所述薄膜晶体管的栅电极下方，并且在所述上阵列基板的内表面上。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述公共电极被形成为板状。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述公共电极形成在所述像素区域的基本上整个表面上方。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述下阵列基板的外表面上形成透明导电层。