[发明专利]存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：

提供一衬底，所述衬底中形成有沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个有源区，且所述有源区沿所述第二方向延伸，所述衬底中还形成有至少一条隔离线，所述隔离线隔离在所述第二方向上相邻的所述有源区；

形成多条位线结构于所述衬底上，所述位线结构沿第三方向延伸且对准连接所述有源区中的源极，每条所述位线结构包括一位线导体及覆盖所述位线导体的位线隔离层；

形成一存储节点接触材料层于所述衬底上，所述存储节点接触材料层覆盖所述衬底在相邻所述位线结构之间的区域；

图案化刻蚀所述存储节点接触材料层，以形成多个存储节点接触，每个存储节点接触对准所述有源区中的一个漏极，并形成多个开口，位于在所述第二方向上相邻的所述存储节点接触之间并对准所述隔离线；

形成一第一接触间隔材料层于所述衬底上，所述第一接触间隔材料层覆盖所述开口、所述存储节点接触及所述位线结构，并在所述开口中形成孔隙，所述孔隙在高出所述存储节点接触顶面的位置封闭；

研磨所述第一接触间隔材料层至暴露出所述存储节点接触，并打开所述孔隙；

形成一第二接触间隔材料层于所述衬底上，所述第二接触间隔材料层填充所述孔隙并覆盖所述存储节点接触及所述位线结构；及，

研磨所述第二接触间隔材料层至暴露出所述存储节点接触，以在所述开口中形成一接触间隔。

2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述开口的深宽比大于或等于5，所述开口在所述第二方向上的截面宽度为小于或等于20nm，且所述开口的深度为大于或等于150nm。

3.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第一接触间隔材料层和所述第二接触间隔材料层的材质的介电常数为1～10且所述第二接触间隔材料层的底面材料的材质相异于所述第一接触间隔材料层的表面材料的材质。

4.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第一接触间隔材料层的步骤包括：

形成一介电覆盖层于所述衬底上，所述介电覆盖层覆盖所述开口、所述存储节点接触及所述位线结构，所述介电覆盖层的材质包含氮化硅与氧化硅的其中之一；及，

形成一介电间隔层于所述介电覆盖层上，并在所述开口中形成所述孔隙，所述孔隙在高出所述存储节点接触顶面的位置封闭，所述介电间隔层的材质包含氧化硅与氮化硅的其中之一，并且所述介电间隔层的材质与所述介电覆盖层的材质为不相同。

5.如权利要求4所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第二接触间隔材料层的材质包含氮化硅和氧化硅的其中之一，且所述第二接触间隔材料层的底面材料的材质相异于所述第一接触间隔材料层的表面材料的材质。

6.如权利要求1～5中任一项所述的存储器的制造方法，其特征在于，在研磨所述第二接触间隔材料层至暴露出所述存储节点接触的步骤之后，所述存储器的制造方法还包括：

回刻蚀所述存储节点接触，以使得所述存储节点接触的顶面低于所述接触间隔的顶面。

7.如权利要求1～5中任一项所述的存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述位线结构的步骤之前，所述存储器的制造方法还包括：

形成多个位线接触于所述衬底上，所述位线接触对准一个所述有源区中的源极。

8.如权利要求7所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成多条所述位线结构的步骤包括：

形成多条位线导体于所述衬底上，所述位线导体沿第三方向延伸并连接所述位线接触；

形成一第一位线隔离层于所述位线导体上，所述第一位线隔离层更覆盖所述位线导体的顶面和侧面及位于所述位线导体底部的所述位线接触的侧面，所述第一位线隔离层的材质包含氮化硅；

形成一第二位线隔离层于所述第一位线隔离层上，所述第二位线隔离层更覆盖所述第一位线隔离层的侧面，所述第二位线隔离层的材料包含氧化硅和氮氧化硅的其中之一；

形成一第三位线隔离层于所述第二位线隔离层上，所述第三位线隔离层更覆盖所述第二位线隔离层的侧面，所述第三位线隔离层的材质包含旋涂电介质；及，

形成一第四位线隔离层于所述第三位线隔离层上，所述第四位线隔离层更覆盖所述第三位线隔离层的侧面，所述第四位线隔离层的材质包含氮化硅。