[发明专利]反相器及其制备方法

权利要求书

1.一种反相器制备方法，其特征在于，包括：

步骤1，在金属导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行退火处理；

步骤2，在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层；

步骤3，在所述有机小分子层表面蒸镀外部供电电极、输出电极和接地电极，获得反相器；所述反相器以有机小分子层作为P型有源层，以氧化物半导体层作为N型有源层；

所述在所述有机小分子层表面蒸镀外部供电电极、输出电极和接地电极具体包括：

将掩膜版覆盖至所述有机小分子层表面；

在所述掩膜版内依次蒸镀一定厚度的氧化钼和金，获得金属电极阵列；

选取可用且相邻的三个金属电极依次作为外部供电电极、输出电极和接地电极；所述外部供电电极与所述输出电极以及所述输出电极和所述接地电极之间沟道长度均为10μm，宽度均为20μm；

所述步骤2具体包括：

在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层，保持蒸镀温度为103～120摄氏度，速率为0.1nm/s～1nm/s；所述有机小分子层为C8-btbt层，所述氧化物半导体为氧化锌、IGZO、IZO或ITZO。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

以所述介电层为基材，氧化物半导体为靶材，利用射频磁控溅射法，在衬底上的介电层表面制备氧化物半导体层；

将所述氧化物半导体层在空气中加热至350摄氏度退火30分钟。

3.一种反相器，其特征在于，包括：金属导电层、介电层、氧化物半导体层、有机小分子层、外部供电电极、输出电极和接地电极；

所述介电层位于所述金属导电层上表面，还位于所述氧化物半导体层下表面；

所述有机小分子层位于所述氧化物半导体层上表面；

所述外部供电电极、输出电极和接地电极分别位于所述有机小分子层上表面；

所述外部供电电极、输出电极和接地电极均包括氧化钼层和金层；所述氧化钼层与位于所述有机小分子层上表面，还位于所述金层下表面；所述有机小分子层为C8-btbt层，所述氧化物半导体为氧化锌、IGZO、IZO或ITZO；

所述外部供电电极与所述输出电极以及所述输出电极和所述接地电极之间沟道长度均为10μm，宽度均为20μm。