[发明专利]一种高密度防静电纳米陶瓷材料的制备方法

权利要求书

1.一种高密度防静电纳米陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将二氧化硅4-10份、氧化镁4-8份、钛酸钾2-6份、氧化铝5-10份注入真空反应炉，同时加入碳化硅10-13份，碳化铌1-2份、抗静电剂1-3份，炉温设置为1200-1300℃，真空压力为1.0*10-3-1.0*10-2Pa，持续反应2h；

(2)将步骤(1)中的反应浆料注入双螺杆挤出机挤压，得到母料；

(3)将步骤(2)中的母料经真空脱水、湿法成型后压制成板状；

(4)将步骤(3)中的板状陶瓷母料置于密封容器中并加热至1000-1100℃，然后依次混合通入高纯四氯化钛蒸发气、氮气和氢气，三种气体摩尔比为5∶39∶85，混合气通入时间为20-30分钟；混合通入高纯四氯化钛蒸发气、甲烷气和氢气，三种气体摩尔比为2∶9∶65，混合气通入时间为30-40分钟；混合通入二氧化碳气和氢气，两种气体摩尔比为1∶95，混合气通入时间为5-10分钟；混合通入高纯三氯化铝蒸发气、二氧化碳气和氢气，三种气体摩尔比为7∶1∶98，混合气通入时间为50-60分钟；

(5)将步骤(4)处理的陶瓷母料干燥，即得成品。

2.根据权利要求1所述的高密度防静电纳米陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的抗静电剂选自聚乙烯乙二醇甲基丙烯酸共聚体、聚醚酯酰胺、聚醚酯乙酰胺、聚氧化乙烯中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的高密度防静电纳米陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的螺杆温度为220-260℃，螺杆转速为1500转/分钟。

4.根据权利要求1所述的高密度防静电纳米陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的真空脱水压强为2*10-4Pa，温度为120-150℃。

5.根据权利要求1所述的一种高密度防静电纳米陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中的干燥条件为280-300℃。