[发明专利]一种钼铝共用蚀刻液及蚀刻方法

权利要求书

1.一种钼铝共用蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液包括磷酸、硝酸、醋酸、添加剂和水；以所述蚀刻液的总重量为基准，所述磷酸的含量为55-65wt％、硝酸的含量为3-5wt％、醋酸的含量为12-18wt％、添加剂的含量为2.5-4.0wt％，余量为水；

所述添加剂包括金属盐、无机铵盐和助剂；所述金属盐选自钠盐、钾盐中的一种或多种，所述助剂选自4-羟基苯磺酸、二乙基三胺五乙酸、植酸中的一种或多种；所述蚀刻液中，所述金属盐的含量为2.3-3.5wt％，所述无机铵盐的含量为0.1-0.3wt％，所述助剂的含量为0.1-0.5wt％；

所述蚀刻液用于实现对低温多晶硅中LS层和M3层的共用；其中，所述M3层钼铝钼膜的厚度与所述LS层钼膜的厚度之比为(5-10):1，所述添加剂用于调节蚀刻液的电导率及pH值，所述蚀刻液通过所述添加剂降低LS层的蚀刻速率，从而实现对LS层和M3层的共用。

2.根据权利要求1所述的钼铝共用蚀刻液，其特征在于，所述无机铵盐选自磷酸氢二铵、磷酸二氢铵、硝酸铵、醋酸铵中的一种或多种。

3.一种蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供待蚀刻产品；所述待蚀刻产品包括抗蚀刻层、LS层钼膜、M3层钼铝钼膜；

S2、采用权利要求1-2中任意一项所述的钼铝共用蚀刻液对所述待蚀刻产品进行蚀刻处理。

4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻处理的温度为35-40℃。

5.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于，所述LS层钼膜的厚度为所述M3层钼铝钼膜的厚度与LS层钼膜的厚度之比为(5-10):1。

6.根据权利要求3-5中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述LS层钼膜的蚀刻时间为35-70s，M3层钼铝钼膜的蚀刻时间为100-200s。