[发明专利]温度补偿晶体振荡器

权利要求书

1.一种温度补偿晶体振荡器，包含两个同样切型的晶体谐振器，它们的参考点温度不同分别为T01、T02，其中T01<T02，在温度小于设定温度Ts时，用晶体谐振器A输出频率F1，温度大于设定温度Ts时，用晶体谐振器B输出频率F1。

2.如权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器，其中：频率F1通过基于锁相环技术的频率合成器生成频率F2。

3.如权利要求1或2所述的温度补偿晶体振荡器，其中：基于锁相环技术的频率合成器可选择压控振荡器VCO或压控晶体振荡器VCXO。

4.如权利要求3所述的温度补偿晶体振荡器，其中：用1PPS信号对频率F1、频率F2的老化进行补偿。

5.如权利要求1所述的温度补偿晶体振荡器，其中：包含三个同样切型的晶体谐振器，它们的参考点温度不同分别为T01、T02、T03，T01<T02<T03，在温度小于较低设定温度Ts1时，用晶体谐振器A输出频率F1，在Ts1<T<Ts2用晶体谐振器B输出频率F1，在较高设定温度Ts2<T用晶体谐振器C输出频率F1。