[发明专利]白光LED及其制作方法有效
| 申请号： | 201710915561.8 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107681027B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 孟静 | 申请（专利权）人： | 珠海宏光照明器材有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 廖彬佳 |
| 地址： | 519060 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 白光LED 源区层 制备方法技术 荧光粉材料 电气元件 逐渐增加 发射 衬底层 缓冲层 加电压 渐变 白光 光谱 制备 制作 | ||
1.一种白光LED，其特征在于：包括从下到上设置的衬底层(101)、缓冲层(102)、N型层(103)、有源区层以及P型层(109)，通过在P型层(109)与N型层(103)之间加电压，实现所述LED所发射的光为白光，所述有源区层包括从下到上设置的InN层(104)、InxGa1-xN层(105)、GaN层(106)、AlyGa1-yN层(107)以及AlN(108)，其中x+y＝1,0≤x≤1,0≤y≤1，且InxGa1-xN层(105)和AlyGa1-yN层(107)从下到上渐变的过程中，x的值从1逐渐减少到0，y的值从0逐渐增加到1。
2.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于：所述衬底层(101)的制作材料为SiC或者蓝宝石。
3.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于：所述缓冲层(102)的制作材料为AlN。
4.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于：所述N型层(103)的制作材料为N型掺杂的GaN。
5.如权利要求1所述的白光LED，其特征在于：所述P型层(109)的制作材料为P型GaN。
6.一种白光LED的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
首先，在衬底层(101)上外延生长缓冲层(102)，在缓冲层(102)上外延生长N型层(103)，在N型层(103)上依次从下到上外延生长InN层(104)、InxGa1-xN层(105)、GaN层(106)、AlyGa1-yN层(107)和AlN层(108)，由InN层(104)外延生长InxGa1-xN层(105)过渡到GaN层(106)，其中Ga组分从0渐变到1，由GaN层(106)外延生长AlyGa1-yN层(107)过渡到AlN层(108)，其中Al组分从0渐变到1，且x+y＝1；最后在AlN层上外延生长P型层。
7.如权利要求6所述的白光LED的制备方法，其特征在于：所述InN层到AlN层的总厚度为5nm到1000nm。
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