[发明专利]偏振成像探测器

权利要求书

1.一种偏振成像探测器，用于实现紫外偏振成像探测，包括：

紫外-可见光转换膜，用于选择性地吸收特定偏振方向的紫外光并且将其转换为相同偏振方向的可见光；

微纳光学结构，用于选择性地透射所述相同偏振方向的可见光；以及

成像器件，用于探测经由所述微纳光学结构透射的所述相同偏振方向的可见光。

2.根据权利要求1所述的偏振成像探测器，其中，所述紫外-可见光转换膜包括具有偏振选择特性的量子点材料，或者包括具有偏振选择特性的、量子点材料与聚合物的复合材料。

3.根据权利要求2所述的偏振成像探测器，其中，所述具有偏振选择特性的量子点材料包括：具有偏振选择特性的钙钛矿类量子点材料以及具有偏振选择特性的硒化镉类量子点材料。

4.根据权利要求2或3所述的偏振成像探测器，其中，所述具有偏振选择特性的量子点材料或者所述复合材料在所述紫外-可见光转换膜中沿同一方向排列，所述紫外-可见光转换膜的偏振吸收和偏振发射方向为均一方向。

5.根据权利要求4所述的偏振成像探测器，其中，所述紫外-可见光转换膜为圆形，通过绕其中心点旋转，可以获得不同偏振方向紫外光的入射强度。

6.根据权利要求4所述的偏振成像探测器，其中，所述紫外-可见光转换膜包括不同偏振方向的多个光学膜模块，用于同时测量入射紫外光的不同方向的偏振分量。

7.根据权利要求5或6所述的偏振成像探测器，其中，所述微纳光学结构包括亚波长光栅结构或光子晶体结构，其与所述紫外-可见光转换膜耦合以形成具有像元级网格化结构的偏振光学矩阵。

8.根据权利要求7所述的偏振成像探测器，其中，所述成像器件是电荷耦合元件CCD或CMOS成像器件，其与所述偏振光学矩阵进行像元级耦合和光谱匹配。

9.根据权利要求8所述的偏振成像探测器，其中，所述电荷耦合元件CCD是电子倍增电荷耦合元件EMCCD。

10.根据权利要求8所述的偏振成像探测器，其中，所述成像器件的表面设置有用于增透所述紫外-可见光转换膜峰值发光波长、截止其他辐射的光学膜。

11.根据权利要求10所述的偏振成像探测器，其中，所述紫外-可见光转换膜的表面设置有用于增透紫外光、截止可见光和红外光的另一微纳光学结构。