[发明专利]一种制备有机-无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法有效
| 申请号： | 201710917912.9 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107634141B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 廉刚;付现伟;董宁;吕松;赵天宇;王琪珑;崔得良 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;C30B7/06 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 有机 无机 复合 半导体 薄膜 空间 限位 溶剂 辅助 生长 方法 | ||
1.一种制备有机-无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法，包括：
将有机-无机复合半导体单晶薄膜吸附溶剂蒸汽步骤：
在液态传压传热介质中进行高等静压处理步骤；
进行高等静压处理步骤中，将吸附完溶剂蒸汽后的有机-无机复合半导体单晶薄膜与抛光盖片紧密贴合，然后包覆密封，再进行高等静压处理；
使用柔性薄膜进行包覆密封，所述的柔性薄膜为聚四氟乙烯薄膜、金箔或/和银箔；
所述的抛光盖片为硅片、III-V族半导体单晶片、II-VI族半导体单晶片、氧化铝片或玻璃片。
2.根据权利要求1所述的有机-无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法，其特征在于，吸附溶剂蒸汽步骤中，将有机-无机复合半导体单晶薄膜置于充满饱和溶剂蒸汽的密闭容器中进行吸附溶剂蒸汽。
3.根据权利要求1所述的有机-无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法，其特征在于，进行高等静压处理步骤中，高等静压处理压力为100~1000 MPa，处理温度为100~400℃，处理时间为10~720小时。
4.根据权利要求1所述的有机-无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法，其特征在于，高等静压处理步骤后，先在保持压力恒定的情况下，将温度降低到室温，再卸去压力，即可得到有机－无机复合半导体单晶薄膜；降温速度为0.005~1.0℃/分钟。
5.根据权利要求1所述的有机-无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法，其特征在于，所述的有机-无机复合半导体选自MABX3及其替代掺杂物，MA为有机胺，B为Pb或Sn，X为卤素；或者，过渡金属碘化物-有机配合物。
6.根据权利要求5所述的有机-无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法，其特征在于，所述的过渡金属碘化物-有机配合物为CdI2(PEA)2、CdI2(PEA)4、CdI2(AEC)2、ZnI2(AEC)2、 HgI2(AEC)2、CdI2(AD) 或 HgI2(AD)。
7.根据权利要求5所述的有机-无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法，其特征在于，所述的MABX3为MAPbI3、MAPbCl3、MAPbBr3，所述的MABX3替代掺杂物为FAPbI3、FAPbBr3、FAPbCl3、FAPbI3-xClx、MAPbI3-xClx或MAPbI3-xBrx，（3＞x＞0），FA=NH2CH=NH2+ 。
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