[发明专利]一种新型的用于太赫兹功能器件中太赫兹衰减器

权利要求书

1.一种Ni纳米线太赫兹衰减片，包括两个相同的三层结构衰减片，其中，一个定义为三层结构衰减片A，另一个定义为三层结构衰减片B，所述三层结构衰减片A位置固定，所述三层结构衰减片B通过连续固定可调转轴转动，所述三层结构衰减片B转动的轴心线与所述三层结构衰减片A中与所述轴心线同方向的中心线在同一铅垂面内；

所述三层结构衰减片的结构从下到上依次包括：基底、有序排列的Ni纳米线层以及聚二甲基硅氧烷固定层；

所述有序排列为平行排列，即所述Ni纳米线层中的各条Ni纳米线之间均呈平行排列。

2.根据权利要求1所述的Ni纳米线太赫兹衰减片，其特征在于：所述基底选用的材料为聚乙烯；

所述固定层的面积与所述基底的面积相同。

3.根据权利要求1所述的Ni纳米线太赫兹衰减片，其特征在于：所述两个三层结构衰减片相对旋转形成连续角度，角度范围为0°-360°。

4.根据权利要求3所述的Ni纳米线太赫兹衰减片，其特征在于：旋转角度为0度时，两个所述三层结构衰减片是平行相对的。

5.根据权利要求1-4任一项所述的Ni纳米线太赫兹衰减片，其特征在于：所述Ni纳米线太赫兹衰减片还包括将三层结构衰减片A和B连接的连接部件。

6.权利要求1-5任一项所述的Ni纳米线太赫兹衰减片在制备太赫兹功能器件中的应用。

7.根据权利要求6所述的应用，所述太赫兹功能器件主要包括太赫兹波导、太赫兹偏振器、太赫兹波调制器、太赫兹波天线、太赫兹波开关、太赫兹波衰减器。

8.一种太赫兹衰减器，包括权利要求1-5任一项所述的Ni纳米线太赫兹衰减片及插入装置。