[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

半导体基板；

隧穿层，其在所述半导体基板的表面上；

中间层，其在所述隧穿层上，其中，所述中间层包括羟基，所述羟基是OH基团；

第一导电区域，其在所述中间层上，其中，所述第一导电区域包括被配置为提取第一载流子的金属氧化物层；以及

第一电极，其电连接至所述第一导电区域。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述中间层包括第一量的羟基，

其中，所述隧穿层包括第二量的所述羟基，并且

其中，所述第一量大于所述第二量。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述隧穿层被氢封端。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述中间层包括绝缘层，该绝缘层包括包含羟基的氧化物。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述中间层包括氧化硅层、氧化铝层或氧化铪层中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述中间层的厚度等于或小于所述隧穿层的厚度。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述中间层的厚度等于或小于1nm。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一导电区域的所述金属氧化物层包括二元金属氧化物，或者

其中，所述隧穿层包括氢化氧化硅层或氢化本征非晶硅层。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述隧穿层是疏水性的，并且所述中间层是亲水性的。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：

第二导电区域，其用于提取第二载流子，其中，所述第一载流子的极性不同于所述第二载流子的极性；以及

第二电极，其电连接至所述第二导电区域，

其中，所述第二导电区域包括包含非晶结构的金属氧化物层。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：

另一隧穿层，其在所述半导体基板的另一表面上；以及

另一中间层，其在所述另一隧穿层上，其中，所述另一中间层包括羟基，

其中，所述第二导电区域和所述第二电极被设置在所述另一中间层上。

12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述第一导电区域和所述第二导电区域在所述隧穿层上是共面的。

13.一种用于制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

在半导体基板的表面上形成隧穿层；

在所述隧穿层上形成包括羟基的中间层，所述羟基是OH基团；

在所述中间层上形成第一导电区域，该第一导电区域包括被配置为提取第一载流子的金属氧化物层；以及

形成电连接至所述第一导电区域的第一电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述中间层的步骤包括以下步骤：

利用湿法化学氧化工艺来形成所述中间层。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述隧穿层上形成所述中间层的步骤包括以下步骤：

在所述半导体基板的所述表面上形成所述隧穿层之后，利用在供应臭氧或水的状态下执行热处理的氧化工艺来将所述隧穿层的至少一部分转换为所述中间层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述中间层的步骤包括以下步骤：

在所述半导体基板的所述表面上形成所述隧穿层之后，利用沉积工艺来在所述隧穿层上形成所述中间层。