[发明专利]利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法

权利要求书

1.利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：

包括采用SCCO₂法处理透明导电氧化物薄膜的步骤，具体为：

取去离子水加入SCCO₂设备的反应釜内；

透明导电氧化物薄膜置于反应釜内但不接触去离子水，密封反应釜；

使反应釜内温度升高到55℃～75℃，CO₂加压到10MPa～13Mpa，之后，继续升温至120℃～150℃，并保温反应30min～90min。

2.如权利要求1所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：

所述透明导电氧化物薄膜采用磁控溅射镀膜法制备。

3.如权利要求1所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：

在所述去离子水中加入液体醇后，再加入SCCO₂设备的反应釜内；所述液体醇要求与去离子水相溶并可促进CO₂在去离子水中分散。

4.如权利要求3所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：

所述去离子水和所述液体醇的体积比为(1～2)：1。

5.如权利要求3所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：

所述液体醇为正丙醇。

6.如权利要求1所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：

在保温反应的同时，还对透明导电氧化物薄膜进行紫外光波辐照。

7.如权利要求6所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：

所述对透明导电氧化物薄膜进行紫外光波辐照具体为：

采用功率不低于300W的UV辐照灯对透明导电氧化物薄膜进行紫外光波辐照。

8.如权利要求1所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：

还包括对SCCO₂法处理后的透明导电氧化物薄膜进行退火的步骤。

9.如权利要求8所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：

所述退火条件为：在惰性气氛中，于300℃～400℃温度下退火0.5小时～1小时。