[发明专利]半导体装置以及包括半导体装置的半导体系统在审
| 申请号： | 201710922465.6 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107895742A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 织田真也;德田梨绘;神原仁志;河原克明;人罗俊实 | 申请（专利权）人： | 流慧株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L29/45;H01L29/06;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 王东贤,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 包括 系统 | ||
1.一种半导体装置，包括：
包括含有镓的结晶性氧化物半导体的半导体层；以及
位于所述半导体层上的肖特基电极；
其中所述半导体层包括3mm2或以下的表面积。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述肖特基电极包括选自周期表中第四族、第五族、第六族、第七族、第八族和第九族中的至少一种金属。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层的所述结晶性氧化物半导体包括刚玉结构。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层的所述结晶性氧化物半导体包括α-Ga2O3或α-Ga2O3的混晶。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
包括选自周期表中第四族或第十一族中的至少一种金属的欧姆电极。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中当在1MHz下测量时，具有零偏压的所述半导体装置的电容为500pF或以下。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置被配置以被1A或以上的电流激活。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置是功率半导体装置。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层包括6MV/cm或以上的介电击穿场。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，并且所述肖特基电极位于所述第一半导体层上。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中具有第一厚度的所述第一半导体层和具有第二厚度的所述第二半导体层具有40μm或以下的作为所述第一半导体层的所述第一厚度和所述第二半导体层的所述第二厚度的总厚度。
12.一种半导体系统，包括：
主板；以及
电连接到所述主板的根据权利要求1所述的半导体装置。
13.一种半导体装置，包括：
包括含有镓的结晶性氧化物半导体的半导体层；以及
位于所述半导体层上的肖特基电极，
其中所述半导体层包括1mm2或以下的表面积。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述肖特基电极包括选自周期表中第四族、第五族、第六族、第七族、第八族和第九族中的至少一种金属。
15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述半导体层的所述结晶性氧化物半导体包括α-Ga2O3或α-Ga2O3的混晶。
16.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述半导体层包括6MV/cm或以上的介电击穿场。
17.一种半导体装置，包括：
包括第一半导体层和第二半导体层的半导体层；以及
位于所述第一半导体层上的肖特基电极，并且所述肖特基电极包括选自周期表中第四族、第五族、第六族、第七族、第八族和第九族中的至少一种金属，其中：
所述第一半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体，
所述第二半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体，并且
所述第一半导体层和所述第二半导体层中的至少一个包括3mm2或以下的表面积。
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中具有第一厚度的所述第一半导体层和具有第二厚度的所述第二半导体层具有40μm或以下的作为所述第一半导体层的所述第一厚度和所述第二半导体层的所述第二厚度的总厚度。
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中所述第一半导体层包括第一载流子浓度，并且所述第二半导体层包括第二载流子浓度，并且所述第一载流子浓度小于所述第二载流子浓度。
20.根据权利要求17所述的半导体装置，其中所述半导体层包括6MV/cm或以上的介电击穿场。
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