[发明专利]一种嵌套型多指双向可控硅静电防护器件

权利要求书

1.一种嵌套型多指双向可控硅静电防护器件，其特征在于：

包括P型衬底；

设置在P型衬底内的N型深阱，所述N型深阱内从左到右依次设有第二左P阱、第一左P阱、第一右P阱、第二右P阱；所述第一左P阱与第一右P阱、第二左P阱和第二右P阱均为对称设置；

第一左P阱内从右到左依次设有第一左P+注入区、第一左N+注入区、第二左P+注入区，第一左P+注入区横跨第一左P阱和N型深阱；

第二左P阱内从右到左依次设有第三左P+注入区、第二左N+注入区、第四左P+注入区，第三左P+注入区横跨第二左P阱、N型深阱和第一左P阱；

第一右P阱内从左到右依次设有第一右P+注入区、第一右N+注入区、第二右P+注入区，第一右P+注入区横跨第一右P阱和N型深阱；

第二右P阱内从左到右依次设有第三右P+注入区、第二右N+注入区、第四右P+注入区，第三右P+注入区横跨第二右P阱、N型深阱和第一右P阱；

所述第二左P+注入区、第四左P+注入区、第一左N+注入区、第二左N+注入区连接阳极，第二右P+注入区、第四右P+注入区、第一右N+注入区、第二右N+注入区连接阴极。

2.根据权利要求1所述的嵌套型多指双向可控硅静电防护器件，其特征在于：所述双向可控硅静电防护器件具有两指以上的指数并以嵌套方式分布；双向可控硅静电防护器件指数为n，n≥2，所述第二左P阱左侧从右到左依次设置n-2个左P阱，每个左P阱均包括从右到左依次设置的左P+注入区Ⅰ、左N+注入区Ⅰ、左P+注入区Ⅱ，其中，左P+注入区Ⅰ横跨位于本左P阱右侧的左P阱、N深阱、本左P阱；所述第二右P阱右侧从左到右依次设置n-2个右P阱，每个右P阱均包括从左到右依次设置的右P+注入区Ⅰ、右N+注入区Ⅰ、右P+注入区Ⅱ，其中，右P+注入区Ⅰ横跨位于本右P阱左侧的右P阱、N深阱、本右P阱。

3.根据权利要求2所述的嵌套型多指双向可控硅静电防护器件，其特征在于：以双向可控硅静电防护器件中轴线为界，各指的阳极均位于中轴线的一侧，各指的阴极均位于中轴线的另一侧。

4.根据权利要求2所述的嵌套型多指双向可控硅静电防护器件，其特征在于：以双向可控硅静电防护器件中轴线为界，位于中轴线同一侧的所有相邻的P阱被P+注入区连接在一起。

5.根据权利要求2所述的嵌套型多指双向可控硅静电防护器件，其特征在于：以双向可控硅静电防护器件中轴线为界，中轴线右侧与左侧呈镜像对称。