[发明专利]一种具有柔性薄膜PIN光电二极管阵列的检测器

权利要求书

1.一种具有柔性薄膜PIN光电二极管阵列的检测器，包括行选择逻辑单元(101)，以及通过数据总线(106)依次串联连接的模拟信号处理单元阵列(103)、AD转换单元阵列(104)和处理主机(105)，其特征在于，还设置有柔性PIN光电二极管采集阵列(102)，所述柔性PIN光电二极管采集阵列(102)的输入端通过数据总线(106)连接所述选择逻辑单元(101)的输出端，所述柔性PIN光电二极管采集阵列(102)的输出端通过数据总线(106)连接所述模拟信号处理单元阵列(103)的输入端，所述处理主机(105)的控制输出端通过控制总线(107)连接所述行选择逻辑单元(101)的控制输入端。

2.根据权利要求1所述的一种具有柔性薄膜PIN光电二极管阵列的检测器，其特征在于，当所述的处理主机(105)为远端设备时，所述的处理主机(105)分别与所述的AD转换单元阵列(104)和行选择逻辑单元(101)之间是通过中继设备(108)进行通信。

3.根据权利要求1所述的一种具有柔性薄膜PIN光电二极管阵列的检测器，其特征在于，所述的柔性PIN光电二极管采集阵列(102)包括有并排设置的5～15个结构相同的柔性PIN光电二极管采集单元(1021)，所述并排设置的5～15个柔性PIN光电二极管采集单元(1021)的输入端分别连接所述行选择逻辑单元(101)，所述模拟信号处理单元阵列(103)包括有并排设置的与所述5～15个柔性PIN光电二极管采集单元(1021)的输出端一一对应连接的5～15个模拟信号处理单元，所述AD转换单元阵列(104)包括有并排设置的与所述5～15个模拟信号处理单元的输出端一一对应连接的5～15个AD转换电路。

4.根据权利要求3所述的一种具有柔性薄膜PIN光电二极管阵列的检测器，其特征在于，每一个所述的柔性PIN光电二极管采集单元(1021)，均包括有第一柔性薄膜光电二极管(D1)、第二柔性薄膜光电二极管(D2)和柔性薄膜晶体管(T)，所述第一柔性薄膜光电二极管(D1)和第二柔性薄膜光电二极管(D2)的正极接地，负极连接柔性薄膜晶体管(T)的漏极，所述柔性薄膜晶体管(T)的栅极连接行选择逻辑单元(101)，源极连接模拟信号处理单元阵列(103)中对应的放大电路的输入端。

5.根据权利要求3或4所述的一种具有柔性薄膜PIN光电二极管阵列的检测器，其特征在于，每一个所述的柔性PIN光电二极管采集单元(1021)具体结构包括：有PET塑料衬底(13)和设置在所述PET塑料衬底(13)上端面上的SU8材料层(14)，所述的SU8材料层(14)上分别设置有柔性薄膜晶体管(T)的结构以及第一柔性薄膜光电二极管(D1)和第二柔性薄膜光电二极管(D2)的结构，所述柔性薄膜晶体管(T)通过互联金属(12)分别连接第一柔性薄膜光电二极管(D1)和第二柔性薄膜光电二极管(D2)，以及连接所述行选择逻辑单元(101)和放大电路。

6.根据权利要求5所述的一种具有柔性薄膜PIN光电二极管阵列的检测器，其特征在于，所述的柔性薄膜晶体管(T)的结构包括有并排设置在所述SU8材料层(14)上端面上的第一单晶硅薄膜N型掺杂区(8)、第一单晶硅薄膜未掺杂区(9)和第二单晶硅薄膜N型掺杂区(10)，所述第一单晶硅薄膜N型掺杂区(8)上设置有源电极(18)，所述第一单晶硅薄膜未掺杂区(9)上通过栅氧层(20)设置有栅电极(19)，所述第二单晶硅薄膜N型掺杂区(10)上设置有漏电极(21)，其中，所述源电极(18)通过互联金属(12)连接信号输出端口(7)，所述信号输出端口(7)连接模拟信号处理单元阵列(103)中对应的放大电路的输入端，所述栅电极(19)连接开关控制端口(11)，所述开关控制端口(11)连接行选择逻辑单元(101)的输出端，所述漏电极(21)通过互联金属(12)连接第一柔性薄膜光电二极管(D1)和第二柔性薄膜光电二极管(D2)负极。

7.根据权利要求5所述的一种具有柔性薄膜PIN光电二极管阵列的检测器，其特征在于，所述的第一柔性薄膜光电二极管(D1)和第二柔性薄膜光电二极管(D2)的结构包括有并排设置在所述SU8材料层(14)上端面上的第三单晶硅薄膜N型掺杂区(1)、第二单晶硅薄膜未掺杂区(2)、单晶硅薄膜P型掺杂区(3)、第三单晶硅薄膜未掺杂区(4)和第四单晶硅薄膜N型掺杂区(5)，所述第三单晶硅薄膜N型掺杂区(1)上设置有第一N区电极(15)，所述单晶硅薄膜P型掺杂区(3)上设置有P区电极(16)，所述第四单晶硅薄膜N型掺杂区(5)上设置有第二N区电极(17)，所述P区电极(16)构成正极通过互联金属(12)和接地端(6)接地，所述第一N区电极(15)和第二N区电极(17)构成负极通过互联金属(12)连接柔性薄膜晶体管(T1)的漏电极(21)。