[发明专利]一种樱桃番茄育苗方法

权利要求书

1.一种樱桃番茄育苗方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)种子处理：将樱桃番茄的种子浸种，当60-70％的种子露白进行播种；

(2)制作基质块：将椰糠：草炭土按照质量比为2-3:1混合，将混合好的基质压缩成基质块；

(3)制作无纺袋：无纺袋的容积与基质的体积比为1.5-2:1；

(4)基质块处理：将基质块放入无纺袋中，封口，在封好的基质块中心打孔槽，润湿基质块，基质块润湿后，在基质块上切有种植槽；

(5)育苗：每个种槽内种植1粒樱桃番茄种子，种子槽表面覆盖蛭石，浇水，盖上薄膜，樱桃番茄出芽率达30-33％时移除薄膜，幼苗长至叶片两叶一心时移栽；

(6)移栽：将育好的两叶一心樱桃番茄幼苗搬运移植到基质袋上。

2.根据权利要求1所述的樱桃番茄育苗方法，其特征在于步骤(1)中，所述浸种为用50-55℃温水浸种15-20min，再将种子捞出在28-30℃的清水中浸泡4-5h。

3.根据权利要求1所述的樱桃番茄育苗方法，其特征在于步骤(2)中，所述基质块尺寸为长度、宽度和厚度分别为10cm、10cm和4cm。

4.根据权利要求1所述的樱桃番茄育苗方法，其特征在于步骤(4)中，所述孔槽尺寸为直径3cm，深度1.5cm。

5.根据权利要求1所述的樱桃番茄育苗方法，其特征在于步骤(4)中，所述种植槽位于孔槽两侧；所述种植槽尺寸为3㎝，深度5cm；所述种植槽距孔槽的直线距离为2cm。

6.根据权利要求1所述的樱桃番茄育苗方法，其特征在于步骤(5)中，所述蛭石厚度为0.8-1cm。

7.根据权利要求1所述的樱桃番茄育苗方法，其特征在于步骤(5)中，所述覆盖薄膜后，维持种植槽温度在26-28℃，湿度为85-90％。

8.根据权利要求1所述的樱桃番茄育苗方法，其特征在于步骤(5)中，所述移除薄膜后，白天育苗温度为23-25℃，夜间15-17℃，湿度为70-75％。