[发明专利]阻变存储装置在审

专利信息
申请号: 201710928945.3 申请日: 2017-10-09
公开(公告)号: CN108022619A 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: 宋清基 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种阻变存储装置,包括:

存储电路,其被划分为多个分区;以及

输入/输出I/O电路,其包括多个电源电路和输出电路,

其中,多个电源电路被配置成与多个分区一一对应。

2.如权利要求1所述的阻变存储装置,其中,多个分区中的每个分区包括耦接在至少一个字线与至少一个位线之间的多个阻变存储单元,以及多个电源电路中的每个电源电路被配置为将电源电压供给到位线。

3.如权利要求2所述的阻变存储装置,其中,每个阻变存储单元包括将1比特位数据储存在单个存储单元中的单电平单元或将2比特位数据或更多比特位数据储存在单个存储单元中的多电平单元。

4.如权利要求1所述的阻变存储装置,其中,多个分区中的每个分区包括耦接在至少一个字线与至少一个位线之间的多个阻变存储单元,以及多个电源电路中的每个电源电路被配置为将读取电压、第一写入电压以及第二写入电压供给到与电源电路相对应的分区的位线。

5.如权利要求4所述的阻变存储装置,其中,存储单元包括使用硫族化物合金的相变随机存取存储单元、使用隧穿磁阻效应的磁性随机存取存储器RAM单元、使用过渡金属氧化物的阻变RAM单元、聚合物RAM单元、使用钙钛矿的RAM单元以及使用铁电式电容器的铁电式RAM单元中的至少一种。

6.如权利要求1所述的阻变存储装置,其中,多个电源电路的输出端子共同耦接到I/O电路。

7.如权利要求1所述的阻变存储装置,其中,分区和多个电源电路交替布置。

8.如权利要求1所述的阻变存储装置,其中,相同电平的操作电压被提供给分区内的所有存储单元。

9.一种阻变存储装置,包括:

存储电路,其被划分为多个分区;

多个电源电路,每个电源电路被布置为紧挨多个分区的至少一个分区;以及

输出电路,多个电源电路的输出端子共同耦接到输出电路。

10.如权利要求9所述的阻变存储装置,其中,多个电源电路被配置成与多个分区一一对应。

11.如权利要求9所述的阻变存储装置,还包括布置在存储电路和电源电路的一侧的输出电路。

12.如权利要求9所述的阻变存储装置,其中,分区和多个电源电路交替布置。

13.如权利要求9所述的阻变存储装置,其中,多个分区中的每个分区包括耦接在至少一个字线与至少一个位线之间的多个阻变存储单元,以及多个电源电路中的每个电源电路被配置为将电源电压供给到位线。

14.如权利要求9所述的阻变存储装置,其中,多个分区中的每个分区包括耦接在至少一个字线与至少一个位线之间的多个阻变存储单元,以及多个电源电路中的每个电源电路被配置为将读取电压、第一写入电压以及第二写入电压供给到与电源电路相对应的分区的位线。

15.如权利要求9所述的阻变存储装置,其中,供给到多个分区中的每个分区的操作电压具有相同的电平。

16.如权利要求9所述的阻变存储装置,其中,多个电源电路的输出端子共同耦接到I/O电路。

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