[发明专利]发光器件以及将发光器件附着到支撑衬底的方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

多个半导体发光器件的晶片，每个半导体发光器件包括：

介于n型区域和p型区域之间的发光层;

n接触，其设置在n型区域上以使得所述n接触从所述n型区域的边缘缩回；和

布置在相邻半导体发光器件之间的聚合物层;

多个支撑衬底的晶片，每个支撑衬底包括本体，

位于所述半导体发光器件的晶片和所述支撑衬底的晶片之间的平坦接合层；以及

在每个支撑衬底的所述本体中形成的至少一个通路，该至少一个通路延伸穿过每个支撑衬底的整个厚度并且延伸穿过平坦接合层的整个厚度，使得所述半导体发光器件的晶片的一部分露出。

2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括设置在所述聚合物层和n型区域之间的反射电介质层。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述聚合物层掺杂有光吸收材料和光散射材料中的一种。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述反射电介质层在所述n型区域的边缘上延伸并覆盖所述n型区域的侧表面。

5.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述反射电介质层是反射电介质堆叠。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个通路在所述半导体发光器件的晶片中露出金属层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，还包括形成在所述至少一个通路的侧表面上的钝化层。

8.根据权利要求1所述的发光器件，还包括设置在所述至少一个通路的侧表面上的电介质层，其中所述电介质层被图案化以在所述至少一个通路的端部露出金属层。

9.根据权利要求8所述的发光器件，还包括设置在所述电介质层上的至少一个通路中的金属。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述金属设置在所述本体的至少一个通路外部的表面上，并且设置在所述本体的该表面上的金属的厚度在1μm至20μm之间。

11.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述金属填充所述至少一个通路。

12.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述金属不填充所述至少一个通路。

13.一种将发光器件附着到支撑衬底的方法，包括：

提供半导体发光器件的晶片和布置在相邻半导体发光器件之间的聚合物层，每个半导体发光器件包括：介于n型区域和p型区域之间的发光层，

在低于300℃的温度下将所述半导体发光器件的晶片接合到支撑衬底的晶片，每个支撑衬底包括本体；和

在将半导体发光器件的晶片接合到支撑衬底的晶片之后，形成延伸穿过每个支撑衬底的本体的厚度的通路。

14.根据权利要求13所述的将发光器件附着到支撑衬底的方法，其中所述接合包括在100℃和250℃之间的温度下进行接合。

15.根据权利要求13所述的将发光器件附着到支撑衬底的方法，还包括在形成所述通路之前使每个支撑衬底的本体变薄。

16.根据权利要求13所述的将发光器件附着到支撑衬底的方法，其中将所述半导体发光器件的晶片接合到所述支撑衬底的晶片包括通过至少一个接合层进行接合。

17.根据权利要求16所述的将发光器件附着到支撑衬底的方法，其中所述至少一个接合层包括由电介质区域分开的金属区域，其中金属区域和电介质区域形成在每个支撑衬底的本体的表面上。