[发明专利]阻变存储装置

说明书

根据一个实施例的一种阻变存储装置可以包括存储电路和多个单位输入/输出(I/O)电路。存储电路可以被划分成多个分区。多个单位I/O电路中的每个单位I/O电路可以被提供给多个分区中的每个分区。每个I/O电路可以被设置在形成每个分区的地方。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月1日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0144586的韩国申请的优先权，其整体内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言可以涉及一种半导体集成装置，更具体地，涉及一种阻变存储装置。

背景技术

阻变存储装置可以为通过改变数据储存材料层的电阻状态来将数据储存在布置于一对电极之间的数据储存材料层中的存储装置。

半导体制造商正生产高度集成的阻变存储装置，因此，用于操作阻变存储装置所需的电流量增加。

操作阻变存储装置的读取/写入电路可以设置在存储区的边沿上。相应地，当写入/读取操作被执行时，写入/读取操作时间需要从与读取/写入电路间隔较远的存储单元来读取和写入。

由于必须施加比实际工作电压更大的电压以将实际工作电压一直提供给这种存储单元，因此功耗可能增加。

发明内容

在本公开的一个实施例中，一种阻变存储装置可以包括存储电路和多个单位输入/输出(I/O)电路。存储电路可以被划分成多个分区。多个单位I/O电路可以被提供给多个分区中的每个分区。每个I/O电路可以被设置在形成每个分区的地方。

在本公开的一个实施例中，一种阻变存储装置可以包括存储电路和多个单位输入/输出(I/O)电路。存储电路可以被划分成多个分区。多个单位I/O电路可以电耦接到相邻分区对。

下面在标题为“具体实施方式”的部分描述这些以及其他特征、方面和实施例。

附图说明

从结合附图的下面具体实施方式中将更清晰地理解本公开的主题的以上以及其他的方面、特征和优点，在附图中：

图1是图示根据本公开的一个实施例的阻变存储装置的示例的示图；

图2是图示根据本公开的一个实施例的分区和输入/输出(I/O)电路的示例的示图；

图3是图示根据本公开的一个实施例的单位I/O电路的示例的示图；

图4是解释根据本公开的一个实施例的阻变存储装置的操作的时序图；

图5是图示根据本公开的一个实施例的阻变存储装置的示例的示图；以及

图6至图10是图示根据本公开的一个实施例的阻变存储单元的示例的示图。

具体实施方式

将参照附图来更详细地描述本发明的各种实施例。附图是各种实施例(以及中间结构)的示意图。因此，可以预期因例如制造技术和/或容差而导致的来自示图的配置和形状的变化。因此，所描述的实施例不应当被解释为局限于本文中所图示的特定配置和形状，而可以包括不脱离所附权利要求中所限定的本发明的精神和范围的配置和形状上的偏差。

在本文中参照本发明的理想实施例的截面图和/或平面图来描述本发明。然而，本发明的实施例不应当被解释为限制本发明构思。虽然将示出和描述本发明的若干实施例，但是本领域普通技术人员将认识到，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以在这些实施例中作出改变。

图1是图示根据一个实施例的阻变存储装置的示例的示图。