[发明专利]多用途非线性半导体封装体装配线

权利要求书

1.一种生产封装半导体装置的方法，所述方法包括：

提供第一封装衬底面板；

提供第二封装衬底面板；和

使用控制机构使第一和第二封装衬底面板移动通过包括多个封装体装配工具的装配线，

其中，第一类型封装半导体装置形成在所述第一封装衬底面板上，第二类型封装半导体装置形成在所述第二封装衬底面板上，所述第二类型封装半导体装置是与所述第一类型封装半导体装置不同的封装体类型，

其中，所述控制机构以非线性方式使所述第一和第二封装衬底面板移动通过装配线，和

其中，第一类型封装半导体装置和第二类型封装半导体装置是均包括半导体裸片、包封半导体裸片的电绝缘模制化合物和从模制化合物暴露且电连接到半导体裸片的导电引线的独特装置，其中，第一、第二类型封装半导体装置的封装类型的不同是指第一、第二类型封装半导体装置中的相应的完成的封装半导体装置的引线相对于模制化合物的架构的不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述第一和第二封装衬底面板移动通过装配线包括使用封装体装配工具执行以下中的至少一种：第一级互连、第二级互连、裸片包封、湿化学处理和封装体分离。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述第一和第二封装衬底面板移动通过装配线包括执行第一级互连和第二级互连，执行第一级互连和第二级互连包括以下中的任何一种：引线接合、焊料球形成、焊料回流和夹附接。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述第一和第二封装衬底面板移动通过装配线包括裸片包封，所述裸片包封包括以下中的任何一种：压缩成型、传递成型、注射成型和层压。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述第一和第二封装衬底面板移动通过装配线包括湿化学处理，所述湿化学处理包括以下中的任何一种：电镀、金属蚀刻、光刻胶蚀刻和等离子体清洁。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述第一和第二封装衬底面板移动通过装配线包括封装体分离，所述封装体分离包括以下中的任何一种：切割和引线修整。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二封装半导体装置是以下中的任一种：四方扁平无引线(QFN)封装半导体装置、晶体管外形(TO)封装半导体装置、球栅阵列(BGA)封装半导体装置和倒装芯片。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一类型封装半导体装置是无引线四方扁平(QFN)封装体类型，并且使所述第一封装衬底面板移动通过装配线包括：

在所述第一封装衬底面板上形成结构化铜层；

将半导体裸片附接到结构化铜层的裸片焊盘；

在所述半导体裸片和结构化铜层的接合焊盘之间形成电连接；

通过电绝缘模制化合物包封所述半导体裸片和所述电连接；

去除所述第一封装衬底面板的多个部分，以便暴露所述裸片焊盘和所述接合焊盘；

在所述第一类型封装半导体装置的下侧形成凹槽，所述凹槽延伸穿过所述结构化铜层进入所述电绝缘模制化合物；

在所述裸片焊盘的和接合焊盘的暴露部分上形成可焊接的贵金属层；和

沿着所述凹槽完全分离封装半导体装置。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一类型封装半导体装置是无引线四方扁平封装体类型，并且使所述第一封装衬底面板移动通过装配线包括：

在所述第一封装衬底面板的铜层上形成第二级金属化层；

结构化所述第二级金属化层和所述铜层，以形成裸片焊盘和相邻的接合焊盘，所述裸片焊盘和所述接合焊盘形成在所述铜层和所述第二级金属化层中；

将半导体裸片附接到所述裸片焊盘；

在所述半导体裸片与所述接合焊盘之间形成电连接；

通过电绝缘模制化合物包封所述半导体裸片和所述电连接；和

去除所述第一封装衬底面板的多个部分，以便暴露所述裸片焊盘和所述接合焊盘。