[发明专利]半导体器件

说明书

本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

本申请是基于2013年5月3日提交的、申请号为201310159593.1、发明创造名称为“半导体器件及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年5月3日提交的韩国专利申请第10-2012-0047003号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件及其制造方法，更具体地涉及具有空气间隙的半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件因为其尺寸小、功能多和/或制造成本低而被广泛地用在电子工业中。半导体器件可以归类为存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件以及具有半导体存储器件的功能和半导体逻辑器件的功能的混合半导体器件中的任何一种。

通常，半导体器件可以包括垂直堆叠的图案以及用于使各图案彼此电连接的接触插塞。随着半导体器件被高度地集成，各图案之间的间隔和/或图案与接触插塞之间的间隔越来越小。因此，各图案之间的寄生电容和/或图案与接触插塞之间的寄生电容增加。寄生电容可能引起半导体器件性能的退化，诸如操作速度的降低。

发明内容

本发明构思的实施例可以提供能够减小寄生电容的半导体器件及其制造方法。

本发明构思的实施例还可以提供高度集成的半导体器件及其制造方法。

在一个方面，一种半导体器件可以包括：一对线路图案，其布置在衬底上；接触插塞，其布置在所述一对线路图案之间；空气间隙，其布置在所述接触插塞与所述线路图案之间；接合焊盘，其从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分；以及绝缘层，其布置在所述空气间隙的未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

在一些实施例中，所述空气间隙被所述接合焊盘覆盖的第一部分的高度可以大于所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分的高度。

在另一些实施例中，所述半导体器件还可以包括：第一保护隔离物，其布置在所述线路图案与所述接触插塞之间；以及第二保护隔离物，其布置在所述接触插塞与所述第一保护隔离物之间。所述空气间隙可以布置在所述第一保护隔离物与所述第二保护隔离物之间。

在另一些实施例中，所述空气间隙在平面图中可以具有围绕所述接触插塞的闭环形状。

在另一些实施例中，布置在所述接触插塞与每个所述线路图案之间的空气间隙可以沿着所述线路图案的纵向方向延伸。

在另一些实施例中，所述半导体器件还可以包括：一对绝缘围栏，其布置在所述一对线路图案之间。所述接触插塞可以布置在所述一对线路图案之间以及布置在所述一对绝缘围栏之间；并且所述接触插塞的底部表面在平面图中可具有四边形。

在另一个方面，一种半导体器件可以包括：一对线路图案，其布置在衬底上；接触插塞，其布置在所述一对线路图案之间；以及隔离物结构，其布置在所述接触插塞与每个所述线路图案之间。这里，所述隔离物结构可以包括：第一保护隔离物，其与每个所述线路图案相邻；第二保护隔离物，其与所述接触插塞的侧壁相邻；以及空气间隙，其布置在所述第一保护隔离物与所述第二保护隔离物之间。