[发明专利]一种新能源电动汽车智能充电系统在审
申请号: | 201710931231.8 | 申请日: | 2017-10-09 |
公开(公告)号: | CN107839511A | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 张建 | 申请(专利权)人: | 张建 |
主分类号: | B60L11/18 | 分类号: | B60L11/18;H02J7/00;H02J7/02;H02H3/08 |
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地址: | 277200 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新能源 电动汽车 智能 充电 系统 | ||
技术领域
本发明涉及设备电路领域,尤其涉及一种新能源电动汽车智能充电系统。
背景技术
进入21世纪以来,面对车用能源日趋紧张及价格上涨的局面,迫使汽车研究和制造行业加大了对汽车新能源研究和开发的力度。因此以开发和推广电动车、多种代用燃料汽车为主要内容的“绿色汽车”工程在世界范围内展开。而电动汽车的出现,对节能与环保方面的意义是重大的。这种被称为“零排放”的汽车吸引着全世界的目光。与此同时,作为电动汽车的重要组成部分,动力电池及其充电技术的开发一直是电动汽车技术研究的重点,无论哪一种结构的电动汽车都离不开动力电池的充电,动力电池的应用都存在补充电能的必要性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新能源电动汽车智能充电系统,以解决上述技术问题,为实现上述目的本发明采用以下技术方案:
一种新能源电动汽车智能充电系统,充电系统包括充电电路、控制电路、保护电路及通断控制电路,保护电路和通断控制电路同时与控制电路连接,控制电路控制充电电路运行。
在上述技术方案基础上,所述充电电路三相电经由D05-D10组成的整流桥接电感Lb,电感Lb经电容C1接地,电感Lb经二极管D0接电感Lf,电感Lb接晶体管Q1的集电极,晶体管Q1的发射极接晶体管Q3的集电极,晶体管Q3的发射极接地,二极管D1并联在晶体管Q1的集电极和发射极之间,电容CP1并联在二极管D1两端,二极管D2并联在晶体管Q3的集电极和发射极之间,电容CP3并联在二极管D2两端,晶体管Q1的发射极经电感Lr接变压器T1,电感Lb接晶体管Q2的集电极,晶体管Q2的发射极接晶体管Q4的集电极,晶体管Q4的发射极接地,电感Lb经二极管Q3接二极管D4,二极管D4接地,电容CP2并联在二极管D3两端,电容CP4并联在二极管D4两端,二极管D3接变压器T1,变压器T1的输出端经由二极管D01-D04组成的整流桥接晶体管Q5的集电极和发射极,晶体管Q5的集电极接电感Lf,晶体管Q5的发射极接地,电感Lf输出端一端接地,电感Lf输出端另一端经电容C2接地,电容C2两端接待充电电池正负极。
在上述技术方案基础上,所述控制电路中芯片U1的RS端口接芯片U3的RST端口,同时芯片U1的RS端口经电阻R1接地,芯片U3的WD端口经二极管D1接按键SW-PB,同时二极管D1接芯片U3的MR端口,芯片U1的XTAL1/CLKIN端口接芯片U2的OUT端口,芯片U1的PS端口接芯片U4的CE端口,芯片U1的CAP6的端口接晶体管Q1的基极,晶体管Q1的集电极接电源,同时晶体管Q1的集电极经电阻R1接芯片U1的T3PWM端口,晶体管Q1的发射极接芯片U1的T3PWM端口,温度传感器DS1820的接地端接地,温度传感器DS1820的电源端接电源,同时温度传感器DS1820的输出端接芯片U1的T3PWM端口。
在上述技术方案基础上,所述保护电路包括温度保护电路和过流保护电路,温度保护电路中芯片U5的电源端接电源,芯片U5的接地端接地,芯片U5的输出端经电阻R1接双路运算放大器LF353D的正输入端,双路运算放大器LF353D输出端经电阻R3接电阻R2,电阻R2接地,同时电阻R3接双路运算放大器LF353D,双路运算放大器LF353D的输出端经电阻R4接芯片U1的ADCIN05端口;过流保护电路中芯片U6的5端口接芯片U1的PDPINTA端口,芯片U6的3端口经二极管D1接运算放大器74LS05,同时二极管D1经电阻R1接电容C1,电阻R1接电源,运算放大器74LS05接光电耦合器TLP521-1,光电耦合器TLP521-1的输出端接芯片U8的IO端口。
在上述技术方案基础上,所述通断控制电路中芯片U7的K端口经运算放大器74LS05接芯片U1的PWM1端口,芯片U7的A端口经电阻R1接电源,芯片U7的OUT端口接芯片U8的VIN+端口,芯片U7的VCC端口和EN端口同时接电源,芯片U7的GND端口接地,芯片U8的VIN-端口经电阻R2接电源VCC,芯片U8的VE端口、VG端口及VCE端口分别接充电电路中晶体管的集电极、基极和发射极。
在上述技术方案基础上,所述芯片U1采用TMS320LF2407型单片机,芯片U2采用MAX706PESA型复位芯片,芯片U3采用XTAL1型晶振,芯片U4采用IS61LV6416型存储器,所述芯片U5采用LM35型温度传感器,所述芯片U6采用6N136型高速光耦,所述芯片U7采用6N137型单通道的高速光耦合器,所述芯片U8采用EXB481-2型晶体管驱动电路。
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