[发明专利]一种氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201710931478.X | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107833955B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;周启伦;钟志白;吴雅萍;王星河;李志明;杜伟华;邓和清;林峰;李水清;徐宸科;陈松岩;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 | ||
1.一种氮化物发光二极管，包括：N型氮化物半导体，具有V-pits的多量子阱，V-pits调制填充层，电子阻挡层以及P型氮化物半导体，其特征在于：多量子阱和电子阻挡层之间或电子阻挡层和P型氮化物半导体之间至少具有一层V-pits调制填充层，所述V-pits调制填充层由V-pits开口封闭层和V-pits开口开启层构成的周期性量子结构组成，通过V-pits的开口的张大和缩小形成的周期性量子结构。
2.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述V-pits调制填充层由V-pits开口封闭层和V-pits开口开启层组成的周期性量子结构的周期数为n，其中n≥2，第一层和最后一层均为V-pits开口封闭层。
3.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述V-pits开口封闭层形成V-pits的开口尺寸为5~50nm。
4.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述V-pits开口封闭层形成V-pits的开口角度为50°~60°。
5.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述V-pits开口开启层形成的V-pits的开口尺寸为50~500nm。
6.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述V-pits开口开启层形成的V-pits的开口角度为55°~70°。
7.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述每一周期的V-pits开口封闭层由GaN组成。
8.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述每一周期的V-pits开口封闭层，厚度为50~500nm，Mg掺杂浓度为1.0E19~1.0E20cm-3。
9.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述每一周期的V-pits开口开启层由AlxInyGa1-x-yN组成，其中0.2≤x≤1，0≤y≤0.2。
10.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述每一周期的V-pits开口开启层，厚度为50~500 nm，无Mg掺杂。
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