[发明专利]功率器件、MIM电容及其制备方法

权利要求书

1.一种MIM电容的制备方法，所述MIM电容包括：第一通孔、第二通孔、上极板和下极板，所述第一通孔位于所述上极板的上方，所述第二通孔位于所述下极板的上方，其特征在于，在所述第一通孔和所述上极板之间设置第一氮化硅层，在所述第二通孔和所述下极板之间设置第二氮化硅层；

所述制备方法包括以下步骤：

S1、采用溅射工艺在衬底上形成所述下极板；所述下极板包括第一区域和第二区域；

S2、在所述第一区域依次沉积第一介质层和所述上极板；

S3、在所述上极板上沉积所述第一氮化硅层，在所述第二区域沉积所述第二氮化硅层；

S4、分别在所述第一氮化硅层、所述第二氮化硅层、所述上极板和所述第二区域沉积第二介质层；

S5、在所述第二介质层中形成所述第一通孔和所述第二通孔。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中溅射温度为：230℃-270℃。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一氮化硅层的横截面积小于所述上极板的横截面积，且大于等于所述第一通孔的横截面积；

所述第二氮化硅层的横截面积小于所述第二区域的面积，且大于等于所述第二通孔的横截面积。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S5之后，所述制备方法还包括：

S6、在所述第一通孔和所述第二通孔中填充导电材料；

S7、在所述第一通孔上方沉积第一金属层，在所述第二通孔上方沉积第二金属层。

5.一种MIM电容，所述MIM电容包括：第一通孔、第二通孔、下极板和上极板，所述第一通孔位于所述上极板的上方，所述第二通孔位于所述下极板的上方，其特征在于，所述第一通孔与所述上极板之间设有第一氮化硅层，所述第二通孔与所述下极板之间设有第二氮化硅层；

所述MIM电容还包括：衬底、第一介质层和第二介质层；所述下极板包括第一区域和第二区域；

所述下极板位于所述第二介质层和所述衬底之间；

所述第二介质层的底部设有凹槽，所述凹槽位于所述第一区域的上方；

所述第一介质层和所述上极板均设于所述凹槽中，且所述第一介质层位于所述上极板和所述下极板之间；

所述第一通孔和所述第二通孔均位于所述第二介质层中。

6.如权利要求5所述的MIM电容，其特征在于，所述第一氮化硅层的横截面积小于所述上极板的横截面积，且大于等于所述第一通孔的横截面积；

所述第二氮化硅层的横截面积小于所述第二区域的面积，且大于等于所述第二通孔的横截面积。

7.如权利要求5所述的MIM电容，其特征在于，所述MIM电容还包括第一金属层和第二金属层；

所述第一金属层位于所述第一通孔上方，所述第二金属层位于所述第二通孔上方；

所述第一通孔和所述第二通孔中填充有导电材料。

8.如权利要求7所述的MIM电容，其特征在于，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层的厚度范围为：0.2μm-0.4μm；

和/或，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度为2μm；

和/或，所述通孔的高度为1.45μm；

和/或，所述通孔的直径为1μm；

和/或，所述上极板的厚度为0.2μm；

和/或，所述第一介质层的厚度为0.2μm-0.4μm；

和/或，所述下极板的厚度为3μm。

9.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括权利要求5-8中任意一项所述的MIM电容。